|
2SK1155 даташитФункция этой детали – «(2sk1155 / 2sk1156) SilICon N Channel Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SK1155 | Renesas |
(2SK1155 / 2SK1156) Silicon N Channel MOS FET 2SK1155, 2SK1156
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0909-0200 (Previous: ADE-208-1247) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A (Package name: TO-220AB)
D G
1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
Free Datasheet http://
2SK1155, 2SK1156 |
|
2SK1155 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1155, 2SK1156
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source
S
2SK1155, 2SK1156
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage 2SK1155 2SK1156 Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body to drain diode reverse drain current Channel |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |