|
2SJ553L-E даташитФункция этой детали – «SilICon P Channel Mos Fet High Speed Power». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SJ553L | Renesas |
P-Channel MOSFET ( Transistor ) 2SJ553(L), 2SJ553(S)
Silicon P Channel MOS FET
Description
High speed power switching
REJ03G0900-0400 (Previous: ADE-208-650B)
Rev.4.00 Sep 07, 2005
Features
• Low on-resistance RDS (on) = 0.028 Ω typ.
• Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A (Package name: LDPAK (L) )
4
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B (Package name: LDPAK (S)-(1) )
4
D
1 2 3
123
G S
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8
2SJ5 |
|
2SJ553L | Hitachi Semiconductor |
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SJ553(L),2SJ553(S)
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-650B (Z) 3rd. Edition Jun 1998 Features
• Low on-resistance R DS(on) = 0.028 Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.
Outline
LDPAK
4 D 1 G 1 4
2
3
2
3
1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Drain
S
2SJ553(L),2SJ553(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Symbol VDSS VGSS ID I D(pulse)
Note1
Ratings –60 ±20 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |