DataSheet26.com


2SF292200HYY даташит

Функция этой детали – «Fast Recovery Diode Chips».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SF292200HYY Silan Microelectronics
Silan Microelectronics
  FAST RECOVERY DIODE CHIPS

2SF292200HYY 2SF292200HYY FAST RECOVERY DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200HYY is a fast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Fast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low forward voltage drop; Low reverse current leakage; Top metal is Ag, Back metal is Ag; Chip Size: 2920µm X 2920µm; Chip Thickness: 280±20µm; Chip Topography and Dimensions La: Chip Size:2920 µm; Lb: Pad Size: 2840 µm; Ø ORDERING SPECIFICATIONS Product N
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SF292200HYY", "2SF292200"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SF292200CYY Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS

2SF292200CYY 2SF292200CYY ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200CYY is a ultrafast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ultrafast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low f
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты