|
2SF292200HYY даташитФункция этой детали – «Fast Recovery Diode Chips». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SF292200HYY | Silan Microelectronics |
FAST RECOVERY DIODE CHIPS 2SF292200HYY
2SF292200HYY FAST RECOVERY DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200HYY is a fast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Fast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low forward voltage drop; Low reverse current leakage; Top metal is Ag, Back metal is Ag; Chip Size: 2920µm X 2920µm; Chip Thickness: 280±20µm; Chip Topography and Dimensions La: Chip Size:2920 µm; Lb: Pad Size: 2840 µm;
Ø
ORDERING SPECIFICATIONS
Product N |
Это результат поиска, начинающийся с "2SF292200HYY", "2SF292200" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SF292200CYY | Silan Microelectronics |
ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS 2SF292200CYY
2SF292200CYY ULTRAFAST RECOVERY DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø Ø 2SF292200CYY is a ultrafast recovery diode chips fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ultrafast recovery times; High current capability; High surge current capability; Low f |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |