DataSheet26.com


2SD880Y даташит

Функция этой детали – «SilICon PlastIC Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SD880Y USHA
USHA
  SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR

SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR NPN 2SD880Y 3A 30W Technical Data …designed for Low Frequency Power Amplifier. F Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V F DC Current Gain: 20 @ IC=3A F TO-220 Package MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Collector- Emitter Voltage Collector – Base Voltage Emitter Base Voltage Collector Current – Continuos Base Current Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage junction Temperature Range THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic V CEO V CB V EB IC IB
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SD880Y", "2SD8"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2880 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

5 Amp/ 80V/ Planar/ NPN Power Transistors JAN/JTX/JANTXV/JANS

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE: (561) 842-0305 FAX: (561) 845-7813 2N2880 APPLICATIONS: • • Fast Switching High Frequency Switching and Amplifying FEATURES: • • High Reliability Greater Gain Stability 5 Amp, 80V, Planar, NPN Power T
pdf
2N2880 General Semiconductor
General Semiconductor

(2N2877 - 2N2880) NPN Silicon High Power Transistors

w w w a t a D . S 4 t e e h U m o .c w w w a t a D . S 4 t e e h U m o .c
pdf
2N2880 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

pdf
2SC2880 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC2880 2SC2880 High Voltage Switching Applications · High voltage: VCEO = 150 V · High transition frequency: fT = 120 MHz · Small flat package · PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) · Complemen
pdf
2SC2880 Kexin
Kexin

High Voltage Switching Applications

SMD Type High Voltage Switching Applications 2SC2880 Transistors Features High Voltage : VCEO = 150V High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) Small Flat Package Complementary to 2SA1200 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector-Emitter Voltage Collector-Base Vo
pdf
2SD803 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты