|
2SD880Y даташитФункция этой детали – «SilICon PlastIC Power Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD880Y | USHA |
SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR NPN 2SD880Y 3A 30W
Technical Data
…designed for Low Frequency Power Amplifier.
F Collector-Emitter Voltage: VCEO=60V F DC Current Gain: 20 @ IC=3A F TO-220 Package
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Collector- Emitter Voltage
Collector – Base Voltage Emitter Base Voltage Collector Current – Continuos
Base Current
Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
V CEO
V CB V EB
IC
IB |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD880Y", "2SD8" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2880 | Microsemi Corporation |
5 Amp/ 80V/ Planar/ NPN Power Transistors JAN/JTX/JANTXV/JANS 7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE: (561) 842-0305 FAX: (561) 845-7813
2N2880
APPLICATIONS:
• •
Fast Switching High Frequency Switching and Amplifying
FEATURES:
• •
High Reliability Greater Gain Stability
5 Amp, 80V, Planar, NPN Power T |
|
2N2880 | General Semiconductor |
(2N2877 - 2N2880) NPN Silicon High Power Transistors
w
w
w
a t a D .
S
4 t e e h
U
m o .c
w
w
w
a t a D .
S
4 t e e h
U
m o .c
|
|
2N2880 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
|
2SC2880 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process)
2SC2880
2SC2880
High Voltage Switching Applications
· High voltage: VCEO = 150 V · High transition frequency: fT = 120 MHz · Small flat package · PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) · Complemen |
|
2SC2880 | Kexin |
High Voltage Switching Applications SMD Type
High Voltage Switching Applications 2SC2880
Transistors
Features
High Voltage : VCEO = 150V High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) Small Flat Package Complementary to 2SA1200
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-Emitter Voltage Collector-Base Vo |
|
2SD803 | Panasonic Semiconductor |
SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |