|
2SD560 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Epitaxial Darlington Transistor (5 Amp/ 100». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD560 | Savantic |
Silicon NPN Power Transistors
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SD560
DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB601 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Low frequency power amplifier ·Low speed switching industrial use
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector c |
|
2SD560 | NEC |
NPN Silicon Transistor
DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SD560
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
The 2SD560 is a mold power transistor developed for lowfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor is ideal for direct driving from the IC output of devices such as pulse motor drivers and relay drivers, and PC terminals.
ORDERING INFORMATION
Ordering Name 2SD560 Package TO-220AB
FEATURES
• C-to-E reverse diode i |
|
2SD560 | Fujitsu Media Devices Limited |
SILICON NPN EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR (5 AMP/ 100 VOLT) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |