|
2SD1781KFRA даташитФункция этой детали – «Medium Power Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1781KFRA | ROHM Semiconductor |
Medium Power Transistor 2SD1781K FRA
Medium Power Transistor (32V, 800mA)
Parameter
VCEO IC
Value
32V 800mA
lFeatures
1)Very low VCE(sat). VCE(sat)=0.1V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Higt current capacity in compact package. 3)Complements the 2SB1197K FRA.
lOutline
SOT-346 SC-59
SMT3
lInner circuit
Datasheet AEC-Q101 Qualified
lApplication POWER AMPLIFIER
lPackaging specifications
Part No.
Package
2SD1781K FRA
SOT-346 (SMT3)
Package size
Taping code
Reel size (mm)
Tape width (mm)
Basic ordering u |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD1781KFRA", "2SD1781K" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1781K | ROHM Semiconductor |
Medium Power Transistor |
|
2SD1781K | WEJ |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR RoHS 2SD1781K
SOT-23-3L
2SD1781K TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES Power dissipation
TPCM: .,LCollector current
200 mW (Tamb=25℃)
1. 9
0. 95¡ À0. 025
1. 02
0. 35 2. 92¡ À0. 05
ICM℃
0.8 A
OCollector-base voltage
V(BR)CBO:
40 V
COperating and storage junction temper |
|
2SD1781K | SeCoS |
NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente
2SD1781K
NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Very low VCE(sat).VCE(sat) < 0.4 V (Typ.) (IC /IB = 500mA / 50mA) Complements to 2SB1197K
Collector
3
2
Base
MA |
|
2SD1781K | Kexin |
Medium Power Transistor SMD Type
TransistIoCrs
Medium Power Transistor 2SD1781K
Features
Very Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.1V(Typ.) IC / IB= 500mA / 50mA High current capacity in compact package.
+0.12.4 -0.1
SOT-23
2.9+0.1 -0.1
0.4+0.1 -0.1
3
12 0.95+0.1
-0.1
1.9+0.1 -0.1
+0.11.3 -0.1
0.55 0.4
Uni |
|
2SD1781K | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
Silicon NPN transistor 2SD1781K
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 / Descriptions
SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 / Features
饱和压降低,可与 2SB1197K 互补。 Low VCE(sat),complements the 2SB1197K。
用途 / Applica |
|
2SD1781KR | AiT Components |
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS AiT Components Inc.
www.ait-components.com
2SD1781KR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS MEDIUM POWER TRANSISTOR(32V, 0.8A)
DESCRIPTION
Epitaxial planar type NPN silicon transistor The 2SD1781KR is available in SOT-23 Package.
FEATURES
Very low VCE(sat). VCE(sat) < 0.4 V (Typ.) (I |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |