|
2SD1490 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Epitaxial». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1490 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SD1490
Silicon NPN Epitaxial
Application
• Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SB1059
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SD1490
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Ratings 70 50 6 1 0.75 150 –55 to +150 Unit V V V A W °C °C
Electrical Characteristics (Ta = 25 |
Это результат поиска, начинающийся с "2SD1490", "2SD1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1000 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1000 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SD1000
Transistors
Features
World standard miniature package:SOT-89. Low collector saturation voltage.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current |
|
2SD1001 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1001 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type
NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SD1001
Transistors
Features
World standard miniature package:SOT-89. High collector-emitter voltage.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (D |
|
2SD1005 | NEC |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD |
|
2SD1005 | Kexin |
NPN Silicon Epitaxia SMD Type
NPN Silicon Epitaxia 2SD1005
Transistors
Features
World standard miniature package: SOT-89. High collector to base voltage: VCBO 100V.
Excellent dc current gain linearity: hFE=80TYP. (VCE=2V, IC=500mA).
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltag |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |