|
2SD1265 даташитФункция этой детали – «NPN Epitaxial SilICon Transistor(power Amplifier VertICal Deflection Output)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1265 | Wing Shing Computer Components |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) 2SD1265
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT
SC-67
!
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃)
Characteristic Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Rating 60 60 5 4 30 150 -50~150 Unit V V V A W
℃ ℃
Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base voltage Collector Current (DC) Collector Dissipation (Tc=25℃) Junction Temperature Storage Temperature
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃)
Characteristic Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain C |
|
2SD1265 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SD1265 2SD1265A
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For audio frequency power applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL PARAMETER 2SD1265 VCBO Collector-base voltage 2SD1265A 2SD1265 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1265A VEBO IC I |
|
2SD1265A | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |