DataSheet26.com


2SD1138 даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Triple Diffused».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SD1138 SavantIC
SavantIC
  SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1138 DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB861 APPLICATIONS ·Low frequency high voltage power amplifier TV vertical deflection output PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta
pdf
2SD1138 Renesas
Renesas
  Silicon NPN Triple Diffused

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.) Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand names are me
pdf
2SD1138 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon NPN Triple Diffused

2SD1138 Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency high voltage power amplifier TV vertical deflection output complementary pair with 2SB861 Outline TO-220AB 1 2 3 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter 2SD1138 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Symbol VCBO VCEO VEBO IC I C (peak) PC PC * Junction temperature Storage temperature Note: 1. Value at T
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты