|
2SC6076 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Epitaxial Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC6076 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6076
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6076
Power Amplifier Applications Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)(IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Collector-base voltage Collector-emitter voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperat |
Это результат поиска, начинающийся с "2SC6076", "2SC6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC6000 | Toshiba Semiconductor |
High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications 2SC6000
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6000
High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
• • • High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 2.5 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.18 V (max) High speed switching: tf = 13 n |
|
2SC6010 | Toshiba |
Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6010
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC6010
High Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications
• High speed switching: tf = 0.24μs (max) (IC = 0.3A) Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characte |
|
2SC6011 | Sanken |
PNP PowerTransistor
2SC6011/ 2SC6011A
2SC6011
2SC6011A
2SC60111
2SC6011A
datasheet.esom
DataShee
3.2
6.0 2.0 1.8
19.9
3.5
2 3 20.0
2˚
2˚
1.7 0.6
1.0 5.45 5.45
15.8
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
3.2
15.6 14.0 13.6 9.6
5.0 2.1
|
|
2SC6011 | Allegro MicroSystems |
Audio Amplification Transistor 2SC6011 Audio Amplification Transistor
Features and Benefits
▪ ▪ ▪ ▪ Small package (TO-3P) High power handling capacity, 160 W Improved sound output by reduced on-chip impedance For professional audio (PA) applications, VCEO = 200 V versions available ▪ Complementary to |
|
2SC6011A | Sanken |
PNP PowerTransistor
2SC6011/ 2SC6011A
2SC6011
2SC6011A
2SC60111
2SC6011A
datasheet.esom
DataShee
3.2
6.0 2.0 1.8
19.9
3.5
2 3 20.0
2˚
2˚
1.7 0.6
1.0 5.45 5.45
15.8
datasheet.esom
DataSheet 4 U .com
3.2
15.6 14.0 13.6 9.6
5.0 2.1
|
|
2SC6011A | Allegro MicroSystems |
Audio Amplification Transistor 2SC6011A Audio Amplification Transistor
Features and Benefits
▪ ▪ ▪ ▪ Small package (TO-3P) High power handling capacity, 160 W Improved sound output by reduced on-chip impedance For professional audio (PA) applications, VCEO = 230 V versions available ▪ Complementary t |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |