|
2SC5191-T1 даташитФункция этой детали – «MICrowave Low Noise Amplifier NPN SilICon Epitaxial Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC5191-T1 | NEC |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5191
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current
2.9±0.2
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
2.8±0.2
0.4 +0.1 −0.05
1.5
0.65 +0.1 −0.15
0.95
IC = 100 mA • Mini Mold Package EIAJ: SC-59
2
T88
0.95
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER 2SC5191-T1
0.3 |
Это результат поиска, начинающийся с "2SC5191", "2SC5191" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC5191 | NEC |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5191
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz � |
|
2SC5191 | Inchange Semiconductor |
Silicon NPN Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor
isc RF Product Specification
2SC5191
DESCRIPTION ·Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion ·Low Noise
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ·Large Absolute M |
|
2SC5191-T2 | NEC |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5191
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FEATURES
• Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz � |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |