DataSheet26.com


2SC5191-T1 даташит

Функция этой детали – «MICrowave Low Noise Amplifier NPN SilICon Epitaxial Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC5191-T1 NEC
NEC
  MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5191 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • Large Absolute Maximum Collector Current 2.9±0.2 PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm) 2.8±0.2 0.4 +0.1 −0.05 1.5 0.65 +0.1 −0.15 0.95 IC = 100 mA • Mini Mold Package EIAJ: SC-59 2 T88 0.95 ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SC5191-T1 0.3
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SC5191", "2SC5191"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC5191 NEC
NEC

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5191 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz �
pdf
2SC5191 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor isc RF Product Specification 2SC5191 DESCRIPTION ·Low Voltage Operation ,Low Phase Distortion ·Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz ·Large Absolute M
pdf
2SC5191-T2 NEC
NEC

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5191 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Voltage Operation, Low Phase Distortion • Low Noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz NF = 1.7 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz �
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты