DataSheet26.com


2SC3785 даташит

Функция этой детали – «NPN Epitaxial Planar Type SilICon Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC3785 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor

Ordering number:ENN2298B NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor 2SC3785 Driver Applications Applications · Suitable for use in switching of L load (motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers). Features · High DC current gain. · Wide ASO. · On-chip Zener diode of 60±10V between collector and base. · Uniformity in collector-to-base breakdown voltage. · Large inductive load handling capability. Package Dimensions unit:mm 2043B [2SC3785] 8.0 4.0 2.0 2.7 1.5 9.0 11.0 1.6 0.8 0.8 0.6 3.0 15.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SC3785", "2SC3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC3000 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

HF Amp Applications

Ordering number:EN866C Features · FBET series. · High fT and small Cre. NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC3000 HF Amplifier Applications Package Dimensions unit:mm 2003A [2SC3000] JEDEC : TO-92 EIAJ : SC-43 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Par
pdf
2SC3001 Mitsubishi Electric Semiconductor
Mitsubishi Electric Semiconductor

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

pdf
2SC3006 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

pdf
2SC3007 Toshiba
Toshiba

High Current Switching Application / High Speed DC-DC Converter Application

pdf
2SC3011 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN epitaxial planer Transistor

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 2SC3011 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm · High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) · Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz · High fT: fT = 6.5 GHz Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characterist
pdf
2SC3011 Kexin
Kexin

Silicon NPN Epitaxial

SMD Type Silicon NPN Epitaxial 2SC3011 SOT-23 +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 Transistors IC Unit: mm Features +0.1 2.4-0.1 1 +0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1 2 High fT : fT=6.5GHz 0.55 Low Noise Figure: NF=2.3dB(Typ.) f=1GHz +0.1 1.3-0.1 High Gain :|S21e|2=12dB(TYP.) 0.4 3 +0.0
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты