|
2SC3785 даташитФункция этой детали – «NPN Epitaxial Planar Type SilICon Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC3785 | Sanyo Semicon Device |
NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor Ordering number:ENN2298B
NPN Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
2SC3785
Driver Applications
Applications
· Suitable for use in switching of L load (motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers).
Features
· High DC current gain. · Wide ASO. · On-chip Zener diode of 60±10V between collector
and base. · Uniformity in collector-to-base breakdown voltage. · Large inductive load handling capability.
Package Dimensions
unit:mm
2043B
[2SC3785]
8.0 4.0
2.0
2.7
1.5 9.0 11.0
1.6 0.8
0.8 0.6
3.0 15. |
Это результат поиска, начинающийся с "2SC3785", "2SC3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC3000 | Sanyo Semicon Device |
HF Amp Applications Ordering number:EN866C
Features
· FBET series. · High fT and small Cre.
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3000
HF Amplifier Applications
Package Dimensions
unit:mm 2003A
[2SC3000]
JEDEC : TO-92 EIAJ : SC-43
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Par |
|
2SC3001 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
|
2SC3006 | Toshiba Semiconductor |
TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
2SC3007 | Toshiba |
High Current Switching Application / High Speed DC-DC Converter Application |
|
2SC3011 | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer Transistor TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3011
2SC3011
UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
· High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) · Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz · High fT: fT = 6.5 GHz
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characterist |
|
2SC3011 | Kexin |
Silicon NPN Epitaxial SMD Type
Silicon NPN Epitaxial 2SC3011
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
High fT : fT=6.5GHz
0.55
Low Noise Figure: NF=2.3dB(Typ.) f=1GHz
+0.1 1.3-0.1
High Gain :|S21e|2=12dB(TYP.)
0.4
3
+0.0 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |