|
2SC2769 даташитФункция этой детали – «Trans Gp Bjt NPN 200v 10a 3-pin(3+tab) To-3p». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2769 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
2SC2769 | INCHANGE |
Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC2769
DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 200V(Min) ·High Switching Speed ·High Reliability APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC converter ·Solid state relay ·General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL VCBO VCEO VCEO(SUS) VEBO IC IB
B
PARAMETER Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base voltage Collector Current-Cont |
|
2SC2769 | Fuji |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE TRANSISTOR 2SC2769
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH SPEED SWITCHING
FUJI POWER TRANSISTOR
Outline Drawings
TO-3P
Features
High voltage,High speed switching Low saturation voltage High reliability
Applications
Switching regulators DC-DC convertor Solid State Relay General purpose power amplifiers
JEDEC EIAJ SC-65
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
Item Collector-Base voltage Collector-Emitter voltage Collector-Emitter voltage Emitter-Base voltage Collector current |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |