|
2SC2362 даташитФункция этой детали – «High-voltage Low-noise Amp ApplICations». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2362 | Sanyo Semicon Device |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications Ordering number:ENN572E
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362K
High-Voltage Low-Noise Amp Applications
Package Dimensions
unit:mm 2003B
[2SA1016, 1016K/2SC2362, 2362K]
5.0 4.0 4.0
0.45 0.5 0.45 0.44
0.6 2.0 14.0 5.0
( ) : 2SA1016, 1016K
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Symbol
Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Junction Temperature Storage |
|
2SC2362K | Sanyo Semicon Device |
High-Voltage Low-Noise Amp Applications |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |