|
2SB947A даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Planar Type(for Low-voltage Switching)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SB947A | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB947 2SB947A
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High speed switching ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For low-voltage switching applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL PARAMETER 2SB947 VCBO Collector-base voltage 2SB947A 2SB947 VCEO Collector-emitter voltage 2SB947A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-p |
|
2SB947A | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) Power Transistors
2SB947, 2SB947A
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-voltage switching
s Features
0.7±0.1
Unit: mm
10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2 φ3.1±0.1 1.4±0.1 1.3±0.2 0.8±0.1 0.5 +0.2 –0.1 2.54±0.25 5.08±0.5 1 2 3 4.2±0.2
q q q
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to 2SB947 2SB947A 2SB947 Symbol VCBO VCEO VEBO ICP IC PC Tj Tstg
(TC=25˚C)
Ratings –40 –50 –20 –40 –5 –15 –10 35 2 150 –55 to +150 Unit
16.7±0.3 14.0±0.5
V
emitter volt |
|
2SB947A | Panasonic Semiconductor |
Power Transistors Power Transistors
2SB0947 (2SB947), 2SB0947A (2SB947A)
www.DataSheet4U.net
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-voltage switcing
Unit: mm
0.7±0.1
■ Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High-speed switching • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
10.0±0.2 5.5±0.2
4.2±0.2
4.2±0.2 2.7±0.2
7.5±0.2
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) 2SB0947 2SB0947A VCEO VEBO IC ICP PC Ta = 25°C Tj Tst |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |