|
2SB1545 даташитФункция этой детали – «Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SB1545 | Matsushita Electric |
Transistors |
Это результат поиска, начинающийся с "2SB1545", "2SB1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SB100 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2SB1000 | Hitachi Semiconductor |
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
|
2SB1000 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2SB1000A | Hitachi Semiconductor |
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
|
2SB1001 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1001
Silicon PNP Epitaxial
Application
• Low frequency power amplifier • Complementary pair with 2SD1367
Outline
UPAK
1 3 2
4
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector (Flange)
2SB1001
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector |
|
2SB1001 | Kexin |
Silicon PNP Epitaxial SMD Type
Silicon PNP Epitaxial 2SB1001
Transistors
Features
Low frequency power amplifier
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current peak collector current Collector power dissipat |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |