|
2SB1409 даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SB1409 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
DPAK
4 4
1
2
3 12
S Type
3
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector
L Type
2SB1409(L)/(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Note: 1. Value at TC = 25°C. Symbol VCBO VCEO VEBO IC I C(pea |
|
2SB1409L | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial |
|
2SB1409S | Kexin |
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor SMD Type
Transistors
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor 2SB1409S
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm 2.30
+0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1
6.50 +0.2 5.30-0.2
+0.15 -0.15
Features
+0.2 9.70 -0.2
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2.3
+0.15 4.60-0.15
+0.1 0.60-0.1
+0.28 1.50 -0.1
+0.25 2.65 -0.1
+0.15 5.55 -0.15
1 Base 2 Collector 3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Co |
|
2SB1409S | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
DPAK
4 4
1
2
3 12
S Type
3
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector
L Type
2SB1409(L)/(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Note: 1. Value at TC = 25°C. Symbol VCBO VCEO VEBO IC I C(pea |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |