DataSheet26.com


2SB1409 даташит

Функция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SB1409 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial

2SB1409(L)/(S) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S) Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 S Type 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector L Type 2SB1409(L)/(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Note: 1. Value at TC = 25°C. Symbol VCBO VCEO VEBO IC I C(pea
pdf
2SB1409L Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial

pdf
2SB1409S Kexin
Kexin
  Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor

SMD Type Transistors Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor 2SB1409S TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 Features +0.2 9.70 -0.2 +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50 -0.15 0.127 max 2.3 +0.15 4.60-0.15 +0.1 0.60-0.1 +0.28 1.50 -0.1 +0.25 2.65 -0.1 +0.15 5.55 -0.15 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Co
pdf
2SB1409S Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial

2SB1409(L)/(S) Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S) Outline DPAK 4 4 1 2 3 12 S Type 3 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector L Type 2SB1409(L)/(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Note: 1. Value at TC = 25°C. Symbol VCBO VCEO VEBO IC I C(pea
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты