|
2SA812RLT1 даташитФункция этой детали – «General Purpose Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA812RLT1 | WILLAS |
General Purpose Transistors WILLAS
2SA812xLTF1MT1H2R0U-M+
1.0AGSeURnFeArCaE lMPOUuNrTpSoCHsOeTTTKYraBnARsRiIsERtoRErsCTIFIERS -20V- 200V
FM1200-M+
SOD-123+ PACKAGE
Pb Free Product
Features
Package outline
• Batch process design, excellent power dissipation offers
better reverse leakage current and thermal resistance.
FE•ALToUwRpErofile surface mounted application in order to
optimize board space.
ƽ•HLigohwVpooltwageer:loVsCsEO, h=ig-5h0eVff.iciency. ƽ•EHpiitgahxiacluprrlaennatrctayppea.bility, low forward voltage drop.
SOD-123H |
Это результат поиска, начинающийся с "2SA812RLT1", "2SA812R" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
L2SA812RLT1 | Leshan Radio Company |
General Purpose Transistors LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
FEATURE
ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V. ƽEpitaxial planar type. ƽNPN complement: L2SC1623 ƽPb-Free Package is available.
Datasheet.esaSheet4U.DcoEmVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SA812QLT1
|
|
L2SA812RLT1G | Leshan Radio Company |
General Purpose Transistors LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
FEATURE
ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V. ƽEpitaxial planar type. ƽNPN complement: L2SC1623 ƽPb-Free Package is available.
Datasheet.esaSheet4U.DcoEmVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
L2SA812QLT1
|
|
SU1028121YFx-xxx | ABC Taiwan Electronics |
(SU1028xxxxFx-xxx) SHIELDED SMD POWER INDUCTOR SPECIFICATION FOR APPROVAL
REF : 20080805-B PROD. NAME PAGE: 1 ABC'S DWG NO. ABC'S ITEM NO. SU1028□□□□F□-□□□
SHIELDED SMD POWER INDUCTOR
Ⅰ﹒CONFIGURATION & DIMENSIONS:
A A B : 10.0 ±0.3 : 10.0 ±0.3 2.8 ±0.3 3.4 typ. 3.2 typ. 7.4 typ. 4.0 ref. 7.2 ref. 1. |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |