DataSheet26.com


2SA812RLT1 даташит

Функция этой детали – «General Purpose Transistors».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA812RLT1 WILLAS
WILLAS
  General Purpose Transistors

WILLAS 2SA812xLTF1MT1H2R0U-M+ 1.0AGSeURnFeArCaE lMPOUuNrTpSoCHsOeTTTKYraBnARsRiIsERtoRErsCTIFIERS -20V- 200V FM1200-M+ SOD-123+ PACKAGE Pb Free Product Features Package outline • Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. FE•ALToUwRpErofile surface mounted application in order to optimize board space. ƽ•HLigohwVpooltwageer:loVsCsEO, h=ig-5h0eVff.iciency. ƽ•EHpiitgahxiacluprrlaennatrctayppea.bility, low forward voltage drop. SOD-123H
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SA812RLT1", "2SA812R"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
L2SA812RLT1 Leshan Radio Company
Leshan Radio Company

General Purpose Transistors

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors FEATURE ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V. ƽEpitaxial planar type. ƽNPN complement: L2SC1623 ƽPb-Free Package is available. Datasheet.esaSheet4U.DcoEmVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping L2SA812QLT1
pdf
L2SA812RLT1G Leshan Radio Company
Leshan Radio Company

General Purpose Transistors

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors FEATURE ƽHigh Voltage: VCEO = -50 V. ƽEpitaxial planar type. ƽNPN complement: L2SC1623 ƽPb-Free Package is available. Datasheet.esaSheet4U.DcoEmVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping L2SA812QLT1
pdf
SU1028121YFx-xxx ABC Taiwan Electronics
ABC Taiwan Electronics

(SU1028xxxxFx-xxx) SHIELDED SMD POWER INDUCTOR

SPECIFICATION FOR APPROVAL REF : 20080805-B PROD. NAME PAGE: 1 ABC'S DWG NO. ABC'S ITEM NO. SU1028□□□□F□-□□□ SHIELDED SMD POWER INDUCTOR Ⅰ﹒CONFIGURATION & DIMENSIONS: A A B : 10.0 ±0.3 : 10.0 ±0.3 2.8 ±0.3 3.4 typ. 3.2 typ. 7.4 typ. 4.0 ref. 7.2 ref. 1.
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты