|
2SA1612 даташитФункция этой детали – «Audio Frequency High Gain Amplifier PNP SilICon Epitaxial». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1612 | TY Semiconductor |
Transistor Product specification
2SA1612
Features
High DC current gain
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current (DC) Total power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg Rating -120 -120 -5 -50 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter Collector cutoff current Emitter cutoff current DC current gain Collector |
|
2SA1612 | NEC |
AUDIO FREQUENCY HIGH GAIN AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
2SA1612 | Kexin |
Transistor SMD Type
PNP Silicon Epitaxial Transistor 2SA1612
Transistors
Features
High DC current gain
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current (DC) Total power dissipation Junction temperature Storage temperature range Symbol VCBO VCEO VEBO IC PT Tj Tstg Rating -120 -120 -5 -50 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter Collector cutoff current Emitter cutoff c |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |