DataSheet26.com


2SA1535A даташит

Функция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1535A SavantIC
SavantIC
  SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1535 2SA1535A DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SC3944/3944A ·Optimum for the driver-stage of a 60W to 100W output amplifier APPLICATIONS ·For low-frequency driver and high power amplification PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO PARAMETER 2SA1535 Collector-base voltage 2SA1535A 2SA1535 VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg Collector-emitter v
pdf
2SA1535A Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial Transistor

Power Transistors 2SA1535, 2SA1535A Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency driver and high power amplification Complementary to 2SC3944 and 2SC3944A 0.7±0.1 10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2 Unit: mm 4.2±0.2 s Features q q q 4.0 Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector current IC characteristics High transition frequency fT Makes up a complementary pair with 2SC3944 and 2SC3944A, which is optimum for the driver-stage of a 60 to 100W output amplifier. (TC=25˚C) Ratings –150
pdf
2SA1535A Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  POWER TRANSISTOR

www.DataSheet4U.net INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors 2SA1535/A DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -150V(Min) -2SA1535 = -180V(Min) -2SA1535A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC3944/A APPLICATIONS ·Designed for low-frequency driver and high power amplification, is optimum for the driver-stage of a 60W to 100 W output amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1535 VCBO Collector-Base Voltage 2SA1535A 2S
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты