|
2SA1535A даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1535A | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1535 2SA1535A
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Complement to type 2SC3944/3944A ·Optimum for the driver-stage of a 60W to 100W output amplifier APPLICATIONS ·For low-frequency driver and high power amplification
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL VCBO PARAMETER 2SA1535 Collector-base voltage 2SA1535A 2SA1535 VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg Collector-emitter v |
|
2SA1535A | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors
2SA1535, 2SA1535A
Silicon PNP epitaxial planar type
For low-frequency driver and high power amplification Complementary to 2SC3944 and 2SC3944A
0.7±0.1 10.0±0.2 5.5±0.2 2.7±0.2 4.2±0.2
Unit: mm
4.2±0.2
s Features
q q q
4.0
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector current IC characteristics High transition frequency fT Makes up a complementary pair with 2SC3944 and 2SC3944A, which is optimum for the driver-stage of a 60 to 100W output amplifier. (TC=25˚C)
Ratings –150 |
|
2SA1535A | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR www.DataSheet4U.net
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon PNP Power Transistors
2SA1535/A
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -150V(Min) -2SA1535 = -180V(Min) -2SA1535A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC3944/A
APPLICATIONS ·Designed for low-frequency driver and high power amplification, is optimum for the driver-stage of a 60W to 100 W output amplifier.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL PARAMETER 2SA1535 VCBO Collector-Base Voltage 2SA1535A 2S |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |