|
2SA1532 даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1532 | TY Semiconductor |
Transistor Product specification
2SA1532
Features
High transition frequency fT.
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Rating -30 -20 -5 -30 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter Base-emitter saturation voltage Collector-base cutoff current Collector-emitter cu |
|
2SA1532 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Transistor Transistor
2SA1532
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification Complementary to 2SC3930
2.1±0.1
Unit: mm
s Features
q q
0.425
1.25±0.1
0.425
High transition frequency fT. S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. (Ta=25˚C)
Ratings –30 –20 –5 –30 150 150 –55 ~ +150 Unit V V V mA mW ˚C ˚C
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base volt |
|
2SA1532 | Kexin |
Transistor SMD Type
Silicon PNP Epitaxial Planar Type 2SA1532
Transistors
Features
High transition frequency fT.
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Rating -30 -20 -5 -30 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW
Electrical Characteristics Ta = 25
Parameter Base-emitter saturation voltage Collector-base cu |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |