DataSheet26.com


2SA1532 даташит

Функция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1532 TY Semiconductor
TY Semiconductor
  Transistor

Product specification 2SA1532 Features High transition frequency fT. 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Rating -30 -20 -5 -30 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW Electrical Characteristics Ta = 25 Parameter Base-emitter saturation voltage Collector-base cutoff current Collector-emitter cu
pdf
2SA1532 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial Transistor

Transistor 2SA1532 Silicon PNP epitaxial planer type For high-frequency amplification Complementary to 2SC3930 2.1±0.1 Unit: mm s Features q q 0.425 1.25±0.1 0.425 High transition frequency fT. S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. (Ta=25˚C) Ratings –30 –20 –5 –30 150 150 –55 ~ +150 Unit V V V mA mW ˚C ˚C 0.65 1 2.0±0.2 1.3±0.1 0.65 3 2 s Absolute Maximum Ratings Parameter Collector to base volt
pdf
2SA1532 Kexin
Kexin
  Transistor

SMD Type Silicon PNP Epitaxial Planar Type 2SA1532 Transistors Features High transition frequency fT. 1 Emitter 2 Base 3 Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Rating -30 -20 -5 -30 150 150 -55 to +150 Unit V V V mA mW Electrical Characteristics Ta = 25 Parameter Base-emitter saturation voltage Collector-base cu
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты