|
2SA1526 даташитФункция этой детали – «PNP/NPN Epitaxial Planar SilICon Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1526 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:ENN2150B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1526/2SC3920
Switching Applications (with Bias Resistance)
Applications
· Switching circuits, inverter circuits, interface circuits, driver circuits.
Features
· On-chip bias resistance : R1=10kΩ, R2=10kΩ. · Large current capacity : IC=500mA.
Package Dimensions
unit:mm 2003B
[2SA1526/2SC3920]
5.0 4.0 4.0
0.45 0.5
0.45 0.44
0.6 2.0 14.0 5.0
123
( ) : 2SA1526
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Collector-to |
Это результат поиска, начинающийся с "2SA1526", "2SA1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA100 | ETC |
(2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift |
|
2SA1001 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1001
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
|
2SA1001 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1002 | INCHANGE |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1002
DESCRIPTION ·High Current Capability ·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 120V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general pu |
|
2SA1002 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1003 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1003
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -150V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |