|
2SA1477 даташитФункция этой детали – «PNP/NPN Epitaxial Planar SilICon Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1477 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:ENN2089B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1477/2SC3787
160V/140mA Switching Applications
Applications
· Predrivers for 100W power amplifiers.
Features
· Adoption of FBET process. · Excellent linearity of hFE. · Small Cob. · Plastic-convered heat sink facilitating high-density
mounting (TO-126ML package).
Package Dimensions
unit:mm
2042B
[2SA1477/2SC3787]
8.0 4.0
1.0 1.0
3.3
3.0
1.6 0.8
1.5 1.4
3.0 7.5 15.5 11.0
0.8 0.75 0.7
( ) : 2SA1477
Specifications
Absolute Maximum Ra |
Это результат поиска, начинающийся с "2SA1477", "2SA1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA100 | ETC |
(2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift |
|
2SA1001 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1001
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
|
2SA1001 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1002 | INCHANGE |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1002
DESCRIPTION ·High Current Capability ·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 120V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general pu |
|
2SA1002 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1003 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1003
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -150V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |