|
2SA1385-Z даташитФункция этой детали – «PNP SilICon Epitaxial Transistor Mp-3». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1385-Z | TY Semiconductor |
Transistor SMD Type
Transistors
Product specification
2SA1385-Z
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm
+0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7
+0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2
Features
Low VCE(sat):VCE(sat)=-0.18 V TYP.
+0.2 9.70 -0.2 +0.15 5.55 -0.15
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2.3
+0.15 4.60-0.15
+0.1 0.60-0.1
+0.28 1.50 -0.1
+0.25 2.65 -0.1
1 Base 2 Collector 3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current pulse |
|
2SA1385-Z | Renesas |
SILICON POWER TRANSISTOR To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010 Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corpo |
|
2SA1385-Z | NEC |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
|
2SA1385-Z | Kexin |
Transistor SMD Type
Silicon PNP Epitaxia 2SA1385-Z
Transistors
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm
+0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7
+0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2
Features
Low VCE(sat):VCE(sat)=-0.18 V TYP.
+0.2 9.70 -0.2 +0.15 5.55 -0.15
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2.3
+0.15 4.60-0.15
+0.1 0.60-0.1
+0.28 1.50 -0.1
+0.25 2.65 -0.1
1 Base 2 Collector 3 Emitter
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current pulse * |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |