|
2SA1265 даташитФункция этой детали – «Power Amplifier ApplICations». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1265 | Toshiba |
Power Amplifier Applications |
|
2SA1265 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 140V 10A |
|
2SA1265 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1265
DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -2.0V(Min) @IC= -7A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SC3182
APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 70W high fidelity audio frequency
amplifier output stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-140
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-140
V
VEBO
Emitter-Base V |
|
2SA1265N | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1265N
DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC3182 ·2SA1265 with short pin APPLICATIONS ·Power amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PT Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Col |
|
2SA1265N | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1265N
DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SC3182 ·2SA1265 with short pin APPLICATIONS ·Power amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB
B
PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base curren |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |