DataSheet26.com


2SA1052 даташит

Функция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1052 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
  Silicon PNP Epitaxial

2SA1052 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency amplifier Outline MPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector 2SA1052 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg Ratings –30 –30 –5 –100 100 150 150 –55 to +150 Unit V V V mA mA mW °C °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Item
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2SA1052", "2SA1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA100 ETC
ETC

(2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift

pdf
2SA1001 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor isc Product Specification 2SA1001 DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -130V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM R
pdf
2SA1001 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT PNP 250V 1.5A

pdf
2SA1002 INCHANGE
INCHANGE

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor  isc Silicon PNP Power Transistor  isc Product Specification  2SA1002  DESCRIPTION  ·High Current Capability  ·Collector­Emitter Breakdown Voltage­  : V(BR)CEO= ­120V(Min.)  APPLICATIONS  ·Designed for audio and general pu
pdf
2SA1002 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT PNP 250V 1.5A

pdf
2SA1003 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor isc Product Specification 2SA1003 DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -150V(Min.) APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM R
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты