|
2SA1052 даташитФункция этой детали – «SilICon PNP Epitaxial». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1052 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SA1052
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency amplifier
Outline
MPAK
3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SA1052
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg Ratings –30 –30 –5 –100 100 150 150 –55 to +150 Unit V V V mA mA mW °C °C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item |
Это результат поиска, начинающийся с "2SA1052", "2SA1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA100 | ETC |
(2SA100 - 2SA104) Ge PNP Drift |
|
2SA1001 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1001
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -130V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
|
2SA1001 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1002 | INCHANGE |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1002
DESCRIPTION ·High Current Capability ·CollectorEmitter Breakdown Voltage
: V(BR)CEO= 120V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general pu |
|
2SA1002 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 1.5A |
|
2SA1003 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification 2SA1003
DESCRIPTION ·High Current Capability ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -150V(Min.)
APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |