DataSheet26.com


2N4351 даташит

Функция этой детали – «Trans Mosfet N-ch 25v 0.1a 4-pin To-72».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N4351 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Trans MOSFET N-CH 25V 0.1A 4-Pin TO-72

pdf
2N4351 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  MOS FET

" MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Drain-Source Voltage Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage* vds vDg Vgs 25 30 30 Drain Current @Total Device Dissipation T/ = 25°C Derate above 25°C @Total Device Dissipation Trj = 25°C Derate above 25°C id Pd Pd 30 300 1.7 800 4.56 Junction Temperature Range Tj 175 Storage Temperature Range Tstg -65 to +175 'Transient potentials of ±75 Volt will not cause gate-oxide failure Unit Vdc Vdc Vdc mAdc mW mW/°C mW mW/°C °C °C 2N4351 CASE 20-03, STYLE 2 TO-72 (T
pdf
2N4351 Micross
Micross
  Amplifier/Switch

2N4351 N-CHANNEL MOSFET The 2N4351 is an enhancement mode N-Channel Mosfet The 2N4351 is an enhancement mode N-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch The hermetically sealed TO-72 package is well suited for high reliability and harsh environment applications. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351  HIGH DRAIN CURRENT  HIGH GAIN  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  ID = 100mA   gfS = 1000µS  Maximu
pdf
2N4351 Linear Integrated Systems
Linear Integrated Systems
  N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE

2N4351 Linear Integrated Systems FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT HIGH GAIN ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25 °C (unless otherwise stated) Maximum Temperatures Storage Temperature Operating Junction Temperature Maximum Power Dissipation Continuous Power Dissipation Maximum Current Drain to Source Maximum Voltages Drain to Body Drain to Source Peak Gate to Source2 25V 25V ±125V 100mA * Body tied to Case. 375mW -65 to +200 °C -55 to +150 °C 1 N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE ID = 100mA
pdf
2N4351 Calogic  LLC
Calogic LLC
  N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch

CORPORATION N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch 2N4351 FEATURES • Low ON Resistance • Low Capacitance Gain • High • High Gate Breakdown Voltage • Low Threshold Voltage PIN CONFIGURATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25oC unless otherwise noted) Drain-Source Voltage or Drain-Body Voltage . . . . . . . . . . 25V Peak Gate-Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . ±125V Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA Storage Temp
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты