|
2N4221 даташитФункция этой детали – «Trans Jfet N-ch Si 4-pin To-72». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N4221 | Texas |
N-Channel Silicon JFET |
|
2N4221 | Solitron Devices |
(2N4xxx) Low Power Field Effect Transistors w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2N4221 | New Jersey Semiconductor |
Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72 |
|
2N4221 | Motorola Semiconductors |
JFET 2N4220
thru
2N4222
2N4220,A
thru
2N4222,A
CASE 20-03, STYLE 3
TO-72 (TO-206AF)
JFET
LOW-FREQUENCY, LOW NOISE —N-CHANNEL DEPLETION
MAXIMUM RATINGS
Rating Drain-Source Voltage Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage Drain Current
@Total Device Dissipation TA = 25°C
Derate above 25°C Junction Temperature Range Storage Channel Temperature Range
Symbol vDs vdg vgs
id
Pd
Tj Tstg
Value 30 30 -30
15 300
2 175
- 65 to + 200
Unit Vdc Vdc Vdc
mAdc
mW
., mW/°C
°C
°c
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwis |
|
2N4221 | InterFET Corporation |
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor B-10
01/99
2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ ¥ ¥ ¥ Mixers Oscillators VHF Amplifiers Small Signal Amplifiers
Absolute maximum ratings at TA = 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage Continuous Forward Gate Current Continuous Device Power Dissipation Power Derating (to 150 °C)
– 30 V 10 mA 300 mW 2 mW/°C
At 25°C free air temperature: Static Electrical Characteristics Gate Source Breakdown Voltage Gate Reverse Current Gate So |
|
2N4221 | Calogic |
N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch |
|
2N4221 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2N4221A | Texas |
N-Channel Silicon JFET |
[1]  [2]
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |