DataSheet26.com


2N4221 даташит

Функция этой детали – «Trans Jfet N-ch Si 4-pin To-72».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N4221 Texas
Texas
  N-Channel Silicon JFET

pdf
2N4221 Solitron Devices
Solitron Devices
  (2N4xxx) Low Power Field Effect Transistors

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2N4221 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor
  Trans JFET N-CH Si 4-Pin TO-72

pdf
2N4221 Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
  JFET

2N4220 thru 2N4222 2N4220,A thru 2N4222,A CASE 20-03, STYLE 3 TO-72 (TO-206AF) JFET LOW-FREQUENCY, LOW NOISE —N-CHANNEL DEPLETION MAXIMUM RATINGS Rating Drain-Source Voltage Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage Drain Current @Total Device Dissipation TA = 25°C Derate above 25°C Junction Temperature Range Storage Channel Temperature Range Symbol vDs vdg vgs id Pd Tj Tstg Value 30 30 -30 15 300 2 175 - 65 to + 200 Unit Vdc Vdc Vdc mAdc mW ., mW/°C °C °c ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwis
pdf
2N4221 InterFET Corporation
InterFET Corporation
  N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

B-10 01/99 2N4220, 2N4220A, 2N4221, 2N4221A, 2N4222, 2N4222A N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor ¥ ¥ ¥ ¥ Mixers Oscillators VHF Amplifiers Small Signal Amplifiers Absolute maximum ratings at TA = 25¡C Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage Continuous Forward Gate Current Continuous Device Power Dissipation Power Derating (to 150 °C) – 30 V 10 mA 300 mW 2 mW/°C At 25°C free air temperature: Static Electrical Characteristics Gate Source Breakdown Voltage Gate Reverse Current Gate So
pdf
2N4221 Calogic
Calogic
  N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch

pdf
2N4221 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
  Diode ( Rectifier )

pdf
2N4221A Texas
Texas
  N-Channel Silicon JFET

pdf

[1]   [2]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты