DataSheet26.com


2N2154 даташит

Функция этой детали – «(2n2152 - 2n2158) Geranium PNP Power Transistor 170».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2154 Central Semiconductor
Central Semiconductor
  (2N2152 - 2N2158) Geranium PNP Power Transistor 170 W

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2N2154", "2N2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N20 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2N20 ·FEATURES ·Drain Current ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.5Ω(Max) ·Fast Switching ·APPLICATIONS ·Switching pow
pdf
2N2000 ETC
ETC

(2N2000 / 2N2001) alloy-junction germanium transistors

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2N2001 ETC
ETC

(2N2000 / 2N2001) alloy-junction germanium transistors

w w a D . w S a t e e h U 4 t m o .c w w .D w t a S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2N2017 Central Semiconductor
Central Semiconductor

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) 2N1975 NPN AMPL/SWITCH 2N1983 NPN AMPL/SWITCH 2N1984 NPN AMPL/SWITCH 2N1985 NPN AMPL/SWITCH 2N1986 NPN AMPL/SWITCH 2N1987 NPN AMPL/SWITCH 2N1988 NPN AMPL/SWITCH 2N1989 NPN AMPL/SWITCH 2N1990 NPN AMPL
pdf
2N2017 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78

pdf
2N2018 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 6-Pin TO-78

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты