|
2MBI200SB-120 даташитФункция этой детали – «Igbt Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2MBI200SB-120 | Fuji |
IGBT Module 2MBI200SB-120
IGBT MODULE (S series) 1200V / 200A / 2 in one package
Features
High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure
IGBT Modules
Applications
Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)
Items Collector-Emitter voltage Gate-Emitter voltage Symbols VCES VGES Ic Collector current Ic pulse -Ic -Ic pulse |
Это результат поиска, начинающийся с "2MBI200SB", "2MBI200SB-" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
0405SC-2200M | Microsemi |
Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT 0405SC-2200M Rev A1
0405SC-2200M
2200Watts, 125 Volts, Class AB 406 to 450 MHz Silicon Carbide SIT
PRELIMINARY SPECIFICATION GENERAL DESCRIPTION
The 0405SC-2200M is a Common Gate N-Channel DEPLETION MODE Class AB SILICON CARBIDE (SiC) STATIC INDUCTION TRANSI |
|
101-220005-03A | ETC |
101-220005-03A http://Datasheet.esaSheet4U.net/
datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
|
|
10CV2200AX | Sanyo Electronic |
CV-AX Series / Surface Mount Type Low Impedance at High Frequency Surface Mount Type Aluminum Electrolytic Capacitors
w
Items Rated voltage Operating temperature range Capacitance tolerance Tangent of loss angle tan MAX. 120Hz/20
m o Surface c Mount Type Low impedance . CV-AX Uat high frequency Series 4 t e e h S Specifications a at .D w w
C |
|
10YXF2200Mxx | Rubycon |
(YXF Series) Miniature Aluminum Electrolytic Capacitors w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a t a
e h S
4 t e
U
m o .c
|
|
200210H22002O.001 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
200210H22002O.002 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |