|
25L6-GT даташитФункция этой детали – «Beam Pentode». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
25L6-GT | GE |
BEAM PENTODE |
Это результат поиска, начинающийся с "25L6", "25L6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
25L6406E | Macronix International |
MX25L6406E MX25L6406E
MX25L6406E DATASHEET
P/N: PM1577
REV. 1.1, NOV. 17, 2010 1
MX25L6406E
Contents
FEATURES................................................................................................................................................................... 5 GENERAL DES |
|
25L6445E | MACRONIX |
MX25l6445E MX25L6445E
MX25L6445E
HIGH PERFORMANCE SERIAL FLASH SPECIFICATION
P/N: PM1736
REV. 1.8, DEC. 26, 2011 1
MX25L6445E
Contents
FEATURES............................................................................................................................................... |
|
25L6GT | ETC |
BEAM PENTODE |
|
BGA725L6 | Infineon |
Silicon Germanium Low Noise Amplifier BGA725L6
Silicon Germanium Low Noise Amplifier for Global Navigation Satellite Systems (GNSS) in ultra small package with 0.77mm² footprint
Data Sheet
Revision 2.0, 2012-03-09 Preliminary
RF & Protection Devices
Edition 2012-03-09 Published by Infineon Technologies AG 81726 Mun |
|
BGA825L6S | Infineon |
Silicon Germanium Low Noise Amplifier BGA825L6S
Silicon Germanium Low Noise Amplifier for Global Navigation Satellite Systems (GNSS)
Data Sheet
Revision 2.1, 2012-10-17
RF & Protection Devices
Edition 2012-10-17 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2012 Infineon Technologies AG All Rights R |
|
BGA925L6 | Infineon |
Silicon Germanium GNSS Low Noise Amplifier BGA925L6
Silicon Germanium GNSS Low Noise Amplifier in ultra small package with 0.77mm² footprint
Data Sheet
Revision 3.0, 2012-01-13
RF & Protection Devices
Edition 2012-01-13 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2012 Infineon Technologies AG All Righ |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |