|
1N6776 даташитФункция этой детали – «(1n6774 - 1n6777) Ultrafast SilICon Power Rectifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N6776 | Microsemi Corporation |
(1N6774 - 1N6777) ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER TECHNICAL DATA
ULTRAFAST SILICON POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/646 Devices 1N6774 1N6775 1N6776 1N6777 Qualified Level JAN JANTX JANTXV
MAXIMUM RATINGS Ratings
Working Peak Reverse Voltage Forward Current TC = +100°C(1) Forward Current Surge Peak TP = 8.30C Operating & Storage Junction Temperature
Symbol 1N6774 1N6775 1N6776 1N6777 Unit
VRWM IF IFSM Top, Tstg Symbol RθJC RθJA 50 100 150 15 180 -65 to +150 Max. 2.0 40 200 Vdc Adc Apk 0 C Unit C/W C/W
*See appendix A for package
THERMAL CHARACTERISTICS |
Это результат поиска, начинающийся с "1N6776", "1N6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N60 | ETC |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODE |
|
1N60 | ETC |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODE |
|
1N60 | American Microsemiconductor |
Zender Diodes |
|
1N60 | International Semiconductor |
Germanium Glass Diodes |
|
1N60 | Central Semiconductor |
Germanium Glass Diodes |
|
1N60 | Formosa MS |
Schottky Barrier Diode FMS
1N60/1N60P
Schottky Barrier Diode
Features
1. High reliability 2. Low reverse current and low forward voltage
Applications
Low current rectification and high speed switching
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute Maximum Ratings
Tj=25 Parameter Repetitive peak re |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |