DataSheet26.com


1ED020I12-F даташит

Функция этой детали – «Single Igbt Driver IC».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
1ED020I12-F Infineon
Infineon
  Single IGBT Driver IC

Datasheet, Version 2.2, December 2009 EICEDRIVER 1ED020I12-F TM Single IGBT Driver IC Power Management & Drives N e v e r s t o p t h i n k i n g . Free Datasheet http:/// 5 Power Management & Drives Revision History: Previous Version: Page 6 14 December 2009 2.1 Version 2.2 Subjects (major changes since last revision) 2.2.3 Watchdog Timer 4.4.6 Dynamic Characteristics Edition 2009-12-03 Published by Infineon Technologies AG, Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany © Infineon Technologies A
pdf
1ED020I12-F2 Infineon
Infineon
  Single IGBT Driver IC

EiceDRIVER™ 1ED020I12-F2 Single IGBT Driver IC Final Data Sheet Rev. 2.0, 2011-08-01 Asic & Power ICs Edition 2011-08-01 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2011 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the device, Inf
pdf
1ED020I12-FT Infineon
Infineon
  Single IGBT Driver IC

EiceDRIVER™ 1ED020I12-FT Single IGBT Driver IC Final Data Sheet Rev 2.0, 2012-07-31 Industrial Power Control Edition 2012-07-31 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2012 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the devi
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты