|
1ED020I12-F даташитФункция этой детали – «Single Igbt Driver IC». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1ED020I12-F | Infineon |
Single IGBT Driver IC Datasheet, Version 2.2, December 2009
EICEDRIVER
1ED020I12-F
TM
Single IGBT Driver IC
Power Management & Drives
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .
Free Datasheet http:///
5
Power Management & Drives Revision History: Previous Version: Page 6 14 December 2009 2.1 Version 2.2
Subjects (major changes since last revision) 2.2.3 Watchdog Timer 4.4.6 Dynamic Characteristics
Edition 2009-12-03 Published by Infineon Technologies AG, Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany © Infineon Technologies A |
|
1ED020I12-F2 | Infineon |
Single IGBT Driver IC EiceDRIVER™ 1ED020I12-F2
Single IGBT Driver IC
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2011-08-01
Asic & Power ICs
Edition 2011-08-01 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2011 Infineon Technologies AG All Rights Reserved.
Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the device, Inf |
|
1ED020I12-FT | Infineon |
Single IGBT Driver IC EiceDRIVER™ 1ED020I12-FT
Single IGBT Driver IC
Final Data Sheet
Rev 2.0, 2012-07-31
Industrial Power Control
Edition 2012-07-31 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany © 2012 Infineon Technologies AG All Rights Reserved.
Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics. With respect to any examples or hints given herein, any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the devi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |