|
14N36GVL даташитФункция этой детали – «Hgtp14n36g3vl». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
14N36GVL | Fairchild Semiconductor |
HGTP14N36G3VL HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS
December 2001
14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs
Packages
JEDEC TO-220AB
EMITTER COLLECTOR GATE COLLECTOR (FLANGE)
Features
• Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC
• Ignition Energy Capable
Description
This N -Channel IG BT is a M OS gate d, l ogic l evel d evice which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ign ition circuits. U nique f eatures in clude an ac tive volta |
Это результат поиска, начинающийся с "14N36GVL", "14N36" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
14N361K | JOYIN |
Varistor 久尹股份有限公司
JOYIN CO., LTD.
Electrical Characteristics
Maximum Allowable Voltage Type No. 14N361K ACrms (V) 230 DC (V) 300 (V) 360 Tolerance ±10% Varistor Voltage V /1mA Maximum Clamping Voltage V@50A (V) 595 Withstanding Surge Current 1 Time 2 Times (A) 4500 (A) |
|
2SA1436 | Sanyo Semicon Device |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN2456
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SA1436
High hFE, AF Amplifier Applications
Applications
· AF amplifier, various drivers, muting circuit.
Features
· Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Large current capacity. |
|
2SB1436 | ROHM Semiconductor |
Low Frequency Transistor(-20V/-5A) Transistors
Low Frequency Transistor (*20V,*5A)
2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436
FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.35V (Typ.) (IC / IB = *4A / *0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. FStructure Ep |
|
2SB1436 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1436
DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD2166 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 Emi |
|
2SD1436 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SD1436(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Power switching complementary pair with 2SB1032(K)
Outline
TO-3P
2
1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter
1
1.5 kΩ (Typ)
130 Ω (Typ) 3
2
3
2SD1436(K)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base |
|
2SD1436K | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SD1436(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Power switching complementary pair with 2SB1032(K)
Outline
TO-3P
2
1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter
1
1.5 kΩ (Typ)
130 Ω (Typ) 3
2
3
2SD1436(K)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |