DataSheet26.com


14N36GVL даташит

Функция этой детали – «Hgtp14n36g3vl».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
14N36GVL Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  HGTP14N36G3VL

HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS December 2001 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs Packages JEDEC TO-220AB EMITTER COLLECTOR GATE COLLECTOR (FLANGE) Features • Logic Level Gate Drive • Internal Voltage Clamp • ESD Gate Protection • TJ = 175oC • Ignition Energy Capable Description This N -Channel IG BT is a M OS gate d, l ogic l evel d evice which is intended to be used as an ignition coil driver in automotive ign ition circuits. U nique f eatures in clude an ac tive volta
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "14N36GVL", "14N36"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
14N361K JOYIN
JOYIN

Varistor

久尹股份有限公司 JOYIN CO., LTD. Electrical Characteristics Maximum Allowable Voltage Type No. 14N361K ACrms (V) 230 DC (V) 300 (V) 360 Tolerance ±10% Varistor Voltage V /1mA Maximum Clamping Voltage V@50A (V) 595 Withstanding Surge Current 1 Time 2 Times (A) 4500 (A)
pdf
2SA1436 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

Ordering number:EN2456 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1436 High hFE, AF Amplifier Applications Applications · AF amplifier, various drivers, muting circuit. Features · Adoption of MBIT process. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Large current capacity.
pdf
2SB1436 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Low Frequency Transistor(-20V/-5A)

Transistors Low Frequency Transistor (*20V,*5A) 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436 FFeatures 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = *0.35V (Typ.) (IC / IB = *4A / *0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2098 / 2SD2118 / 2SD2097 / 2SD2166. FStructure Ep
pdf
2SB1436 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1436 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD2166 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For audio power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Emi
pdf
2SD1436 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused

2SD1436(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching complementary pair with 2SB1032(K) Outline TO-3P 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter 1 1.5 kΩ (Typ) 130 Ω (Typ) 3 2 3 2SD1436(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base
pdf
2SD1436K Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused

2SD1436(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching complementary pair with 2SB1032(K) Outline TO-3P 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter 1 1.5 kΩ (Typ) 130 Ω (Typ) 3 2 3 2SD1436(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты