|
1410F даташитФункция этой детали – «(1410xx) Single Phase Bridge». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1410F | VMI |
(1410xx) Single Phase Bridge
200 V - 1,000 V Single Phase Bridge
12.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time
1402 - 1410 1402F - 1410F 1402UF - 1410UF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
Part Number Working Reverse Voltage (Vrwm) Average Rectified Current @TC (Io) 55°C Volts 1402 1406 1410 1402F 1406F 1410F 1402UF 1406UF 1410UF Amps 100°C Amps Reverse Current @ Vrwm (Ir) 25°C µA 100°C µA 25°C Volts Amps Forward Voltage 1 Cycle Surge Current tp=8.3ms (Ifsm) 25°C Amps Repetitive Surge Current (Ifrm) |
Это результат поиска, начинающийся с "1410F", "14" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
KV1410F1 | TOKO Inc |
VARIABLE CAPACITANCE DIODE KV1410
VARIABLE CAPACITANCE DIODE FEATURES
s Excellent Linearity (CV Curve) s Large Capacitance Ratio (A = 2.00 minimum) with Very Low Series Resistance s Two Diodes in a Miniature Package (SOT23-3) s Very Small Capacitance Deviation at Tape/Reel
APPLICATIONS
s FM Radio s Voltag |
|
14-DIP-300 | ETC |
Tube Packing Data 14-DIP-300 Tube Packing Data
1414-DIPDIP-300 Packing Configuration: Figure 1.0
Packaging Description:
14-DIP-300 parts are shipped in tube. The tube is made of PVC plastic treated with anti-static agent.These tubes in standard option are placed inside a dissipative plastic bubble |
|
14-DIP-300 | ETC |
Tube Packing Data 14-DIP-300 Tube Packing Data
1414-DIPDIP-300 Packing Configuration: Figure 1.0
Packaging Description:
14-DIP-300 parts are shipped in tube. The tube is made of PVC plastic treated with anti-static agent.These tubes in standard option are placed inside a dissipative plastic bubble |
|
1400 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
1400 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
14001B | Motorola Semiconductors |
B-Suffix Serise CMOS Gates |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |