|
13007B даташитФункция этой детали – «Ts13007b». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 13007B |  TSC |
TS13007B TS13007B
High Voltage NPN Transistor
TO-220
Pin Definition: 1. Base 2. Collector 3. Emitter
PRODUCT SUMMARY
BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 8A 3V @ IC / IB = 8A / 2A
Features
● ● High Voltage High Speed Switching
Block Diagram
Structure
● ● Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor
Ordering Information
Part No.
TS13007BCZ C0
Package
TO-220
Packing
50pcs / Tube
http://www.DataSheet4U.net/
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage Collector-Emit |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "13007B", "130" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 3DD13007B8 |  Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13007 B8
○R
产品概述
3DD13007 B8 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 集成了有源抗饱和网络，提 高了产品的击穿电压、开关 |
 |
| 3DD13007B8D | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13007 B8D 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，集成了有源抗饱和网 络，提高了产品的击穿电 压、开关速度和可靠性。
存储条件和焊接温度
硅三 |
|
| TS13007B |  Taiwan Semiconductor |
High Voltage NPN Transistor TS13007B
High Voltage NPN Transistor
TO-220
Pin Definition: 1. Base 2. Collector 3. Emitter
PRODUCT SUMMARY
BVCEO BVCBO IC VCE(SAT) 400V 700V 8A 3V @ IC / IB = 8A / 2A
Features
● ● High Voltage High Speed Switching
Block Diagram
Structure
● ● Silicon Triple Diffused T |
|
| 1300 |  Nihon Dempa Kogyo |
Crystal Clock Oscillators CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS
WARRANTY CLAUSE
s 1300 Series
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Item Vibration Test Shock Test Drop Test Humidity Test Solder Heat Test Thermal Shock Test Terminal Strength Test Soldering Test Solvent Resistance MIL-STD-202F, TM204D, condition B MIL-STD-202F, TM213B |
|
| 1300-102-4xx |  Methode Electronics |
2.54mm IDC Connector .100” (2.54 mm) IDC Connector
1300 SERIES “TERMACON”
PART NUMBER LEGEND
13X0-XXX-4XX
WIRE GAUGE (SEE TABLE 2) NUMBER OF POSITIONS (SEE TABLE 1) FOR STANDARD INSULATOR 0 = W/O LOCKING RAMP & W/O POLARIZING KEY 1 = W/ LOCKING RAMP & W/ POLARIZING KEY 2 = W/ LOCKING RAMP & W/ |
|
| 13001 |  Elite |
NPN Epitaxial Silicon Transistor 13001 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 400V Collector Dissipation: PC(max)= 1000mW
TO-126
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collect |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |