DataSheet26.com


13003BR даташит

Функция этой детали – «Mje13003br».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
13003BR ETC
ETC
  MJE13003BR

MJE13003 FEATURES Power dissipation PCM : 1.25 NPN SILICON TRANSISTOR TO 126 W Tamb=25 1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V 123 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current Tamb=25 Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO HFE 1 unless otherwise specified Te
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "13003BR", "1300"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
MJE13003BR Shenzhen SI Semiconductors
Shenzhen SI Semiconductors

TRANSISTORS

深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. 产品规格书 Product Specification NPN MJE 系列晶体管/MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H) ●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范 ●FEATURES:■HIGH V
pdf
MJE13003BRH SI Semiconductors
SI Semiconductors

TRANSISTORS

深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. 产品规格书 Product Specification NPN MJE 系列晶体管/MJE SERIES TRANSISTORS MJE13003BR(H) ●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范 ●FEATURES:■HIGH V
pdf
1300 Nihon Dempa Kogyo
Nihon Dempa Kogyo

Crystal Clock Oscillators

CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS WARRANTY CLAUSE s 1300 Series No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Item Vibration Test Shock Test Drop Test Humidity Test Solder Heat Test Thermal Shock Test Terminal Strength Test Soldering Test Solvent Resistance MIL-STD-202F, TM204D, condition B MIL-STD-202F, TM213B
pdf
1300-102-4xx Methode Electronics
Methode Electronics

2.54mm IDC Connector

.100” (2.54 mm) IDC Connector 1300 SERIES “TERMACON” PART NUMBER LEGEND 13X0-XXX-4XX WIRE GAUGE (SEE TABLE 2) NUMBER OF POSITIONS (SEE TABLE 1) FOR STANDARD INSULATOR 0 = W/O LOCKING RAMP & W/O POLARIZING KEY 1 = W/ LOCKING RAMP & W/ POLARIZING KEY 2 = W/ LOCKING RAMP & W/
pdf
13001 Elite
Elite

NPN Epitaxial Silicon Transistor

13001 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Collector-Emitter Voltage: VCEO= 400V Collector Dissipation: PC(max)= 1000mW TO-126 Absolute Maximum Ratings (TA=25oC) Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collect
pdf
13001S ETC
ETC

D13001S

R µÍÆ·Å´ó»¾³¶î¨ÄË«¼Ð§Ìå¹Ü D13001S ²úÆ·ÌØÐÔ ¡ô ¡ô ¸ßÄÍѹ ¸ßµçÁ÷ÈÝ¿ ¡ô ¡ô ¡ô ¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¸ß¿ÉÐÔ »·±£¨ RoHS£©²úÆ· Ö÷ÒªÓÃ; ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ½ÚÄÜµÆ µç×
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты