|
13003BR даташитФункция этой детали – «Mje13003br». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
13003BR | ETC |
MJE13003BR
MJE13003
FEATURES Power dissipation PCM : 1.25
NPN SILICON TRANSISTOR
TO 126
W
Tamb=25
1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER
Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current
Tamb=25
Symbol V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO HFE
1
unless otherwise specified
Te |
Это результат поиска, начинающийся с "13003BR", "1300" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MJE13003BR | Shenzhen SI Semiconductors |
TRANSISTORS 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书 Product Specification
NPN MJE 系列晶体管/MJE SERIES TRANSISTORS
MJE13003BR(H)
●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
●FEATURES:■HIGH V |
|
MJE13003BRH | SI Semiconductors |
TRANSISTORS 深圳深爱半导体股份有限公司 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
产品规格书 Product Specification
NPN MJE 系列晶体管/MJE SERIES TRANSISTORS
MJE13003BR(H)
●特点:耐高压 开关速度快 安全工作区宽 符合 RoHS 规范
●FEATURES:■HIGH V |
|
1300 | Nihon Dempa Kogyo |
Crystal Clock Oscillators CRYSTAL CLOCK OSCILLATORS
WARRANTY CLAUSE
s 1300 Series
No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Item Vibration Test Shock Test Drop Test Humidity Test Solder Heat Test Thermal Shock Test Terminal Strength Test Soldering Test Solvent Resistance MIL-STD-202F, TM204D, condition B MIL-STD-202F, TM213B |
|
1300-102-4xx | Methode Electronics |
2.54mm IDC Connector .100” (2.54 mm) IDC Connector
1300 SERIES “TERMACON”
PART NUMBER LEGEND
13X0-XXX-4XX
WIRE GAUGE (SEE TABLE 2) NUMBER OF POSITIONS (SEE TABLE 1) FOR STANDARD INSULATOR 0 = W/O LOCKING RAMP & W/O POLARIZING KEY 1 = W/ LOCKING RAMP & W/ POLARIZING KEY 2 = W/ LOCKING RAMP & W/ |
|
13001 | Elite |
NPN Epitaxial Silicon Transistor 13001 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Collector-Emitter Voltage: VCEO= 400V Collector Dissipation: PC(max)= 1000mW
TO-126
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Collect |
|
13001S | ETC |
D13001S R
µÍÆ·Å´ó»¾³¶î¨ÄË«¼Ð§Ìå¹Ü
D13001S
²úÆ·ÌØÐÔ
¡ô ¡ô
¸ßÄÍѹ ¸ßµçÁ÷ÈÝ¿
¡ô ¡ô ¡ô
¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¸ß¿ÉÐÔ »·±£¨ RoHS£©²úÆ·
Ö÷ÒªÓÃ;
¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô
½ÚÄÜµÆ µç× |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |