DataSheet26.com


1214GN-400LV даташит

Функция этой детали – «Broad Band».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
1214GN-400LV Microsemi
Microsemi
  Broad Band

1214GN-400LV 400 Watts - 50 Volts, 4.5ms, 30% Broad Band 1200 - 1400 MHz GENERAL DESCRIPTION The 1214GN-400LV is an internally matched, COMMON SOURCE, class AB GaN on SiC HEMT transistor capable of providing over 16dB gain, 400 Watts of pulsed RF output power at 4.5ms pulse width, 30% duty factor across the 1200 to 1400 MHz band. The transistor has internal pre-match for optimal performance. This hermetically sealed transistor is designed for L-Band Radar applications. It utilizes gold metallization and eutectic attach
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1214GN", "1214GN-40"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1S1214 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode (spec sheet)

pdf
2SA1214 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor isc Product Specification 2SA1214 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -50V (Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Desinged for low frequency power amplifier app
pdf
2SA1214 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin MT-200

pdf
2SB1214 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

Ordering number:EN2352A PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SB1214 Driver Applications Applications · Motor drivers, hammer drivers, relay drivers. Features · High DC current gain. · Darlington connection. · Small and slim package permitting the 2SB1214- applied sets t
pdf
2SC1214 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Low frequency amplifier

To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003
pdf
2SD1214 ETC
ETC

NPN Transistor

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты