|
1214GN-400LV даташитФункция этой детали – «Broad Band». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1214GN-400LV | Microsemi |
Broad Band 1214GN-400LV
400 Watts - 50 Volts, 4.5ms, 30% Broad Band 1200 - 1400 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The 1214GN-400LV is an internally matched, COMMON SOURCE, class AB GaN on SiC HEMT transistor capable of providing over 16dB gain, 400 Watts of pulsed RF output power at 4.5ms pulse width, 30% duty factor across the 1200 to 1400 MHz band. The transistor has internal pre-match for optimal performance. This hermetically sealed transistor is designed for L-Band Radar applications. It utilizes gold metallization and eutectic attach |
Это результат поиска, начинающийся с "1214GN", "1214GN-40" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1S1214 | American Microsemiconductor |
Diode (spec sheet) |
|
2SA1214 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
2SA1214
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V(BR)CEO= -50V (Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation
APPLICATIONS ·Desinged for low frequency power amplifier app |
|
2SA1214 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin MT-200 |
|
2SB1214 | Sanyo Semicon Device |
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Ordering number:EN2352A
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SB1214
Driver Applications
Applications
· Motor drivers, hammer drivers, relay drivers.
Features
· High DC current gain. · Darlington connection. · Small and slim package permitting the 2SB1214-
applied sets t |
|
2SC1214 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Low frequency amplifier To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003 |
|
2SD1214 | ETC |
NPN Transistor |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |