|
11NM60-U2 даташитФункция этой детали – «N-channel Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
11NM60-U2 | Unisonic Technologies |
N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM60-U2
11A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11NM60-U2 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC converters for power applications.
FEATURES
* RDS(ON) < 0.5Ω @ VGS=10V, ID=5.5A * By using Super Junction Structure * Fast Switching * With 100% Avalanc |
Это результат поиска, начинающийся с "11NM60", "11NM60" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
11NM60 | Unisonic Technologies |
N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM60
11A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11NM60 is an Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistanc |
|
F11NM60N | ST Microelectronics |
STF11NM60N STD11NM60N - STD11NM60N-1 STP11NM60N - STF11NM60N
N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET
General features
Type STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45Ω <0.45 |
|
P11NM60 | STMicroelectronics |
STP11NM60 STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1
N-channel 650V @ TJmax - 0.4Ω - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET
General features
Type
VDSS (@TJ=TJmax) 650V 650V 650V 650V
RDS(on) <0.45Ω <0.45Ω <0.45Ω <0.45Ω
ID
3
STP11NM60 STP11N |
|
P11NM60FP | STMicroelectronics |
STP11NM60FP STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1
N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET
TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID 11 A 11 A 11 A 11 A
1 |
|
STB11NM60 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL PowerMESH MOSFET
STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1
N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET
TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID |
|
STB11NM60-1 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL PowerMESH MOSFET
STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1
N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET
TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |