DataSheet26.com


11NM60-U2 даташит

Функция этой детали – «N-channel Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
11NM60-U2 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
  N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM60-U2 11A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET  DESCRIPTION The UTC 11NM60-U2 is a Super Junction MOSFET Structure and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at DC-DC, AC-DC converters for power applications.  FEATURES * RDS(ON) < 0.5Ω @ VGS=10V, ID=5.5A * By using Super Junction Structure * Fast Switching * With 100% Avalanc
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "11NM60", "11NM60"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
11NM60 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11NM60 11A, 600V N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET  DESCRIPTION The UTC 11NM60 is an Super Junction MOSFET Structure. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistanc
pdf
F11NM60N ST Microelectronics
ST Microelectronics

STF11NM60N

STD11NM60N - STD11NM60N-1 STP11NM60N - STF11NM60N N-channel 600V - 0.37Ω - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmesh™ Power MOSFET General features Type STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45Ω <0.45
pdf
P11NM60 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STP11NM60

STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-channel 650V @ TJmax - 0.4Ω - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™ Power MOSFET General features Type VDSS (@TJ=TJmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45Ω <0.45Ω <0.45Ω <0.45Ω ID 3 STP11NM60 STP11N
pdf
P11NM60FP STMicroelectronics
STMicroelectronics

STP11NM60FP

STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID 11 A 11 A 11 A 11 A 1
pdf
STB11NM60 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL PowerMESH MOSFET

STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID
pdf
STB11NM60-1 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL PowerMESH MOSFET

STP11NM60 - STP11NM60FP STB11NM60 - STB11NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.4Ω-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh™Power MOSFET TYPE STP11NM60 STP11NM60FP STB11NM60 STB11NM60-1 VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V RDS(on) < 0.45 < 0.45 < 0.45 < 0.45 Ω Ω Ω Ω ID
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты