DataSheet26.com


11NB80 даташит

Функция этой детали – «Stw11nb80».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
11NB80 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  STW11NB80

® STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE S TW 11NB 80 V DSS 800 V RDS(on) < 0.8 Ω ID 11 A s TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES s GATE CHARGE MINIMIZED DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pend
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "11NB80", "11N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
STW11NB80 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL PowerMESH MOSFET

® STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 11NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) < 0.8 Ω ID 11 A TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TE
pdf
W11NB80 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STW11NB80

® STW11NB80 N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET TYPE STW 11NB80 s s s s s s V DSS 800 V R DS(on) < 0.8 Ω ID 11 A TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINS
pdf
11N06LT NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

PHB11N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS™ transistor Logic level FET FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • Stable off-state characteristics • High thermal cycling performance • Low th
pdf
11N120CN Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

HGTG11N120CN

HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, HGT1S11N120CNS Data Sheet December 2001 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT The HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, and HGT1S11N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT Features • 43A, 1200V, TC = 25oC • 1200V Switching SOA Capabilit
pdf
11N40C Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

FQP11N40C

FQP11N40C / FQPF11N40C — N-Channel QFET® MOSFET FQP11N40C / FQPF11N40C N-Channel QFET® MOSFET 400 V, 10.5 A, 530 mΩ November 2013 Features • 10.5 A, 400 V, RDS(on) = 530 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.25 A • Low Gate Charge (Typ. 28 nC) • Low Crss (Typ. 85 pF) �
pdf
11N50 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

N-CHANNEL POWER MOSFET

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11N50 Preliminary Power MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET „ DESCRIPTION The UTC 11N50 is an N-channel enhancement mode Power FET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты