|
11NB80 даташитФункция этой детали – «Stw11nb80». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
11NB80 | STMicroelectronics |
STW11NB80
® STW11NB80
N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE S TW 11NB 80
V DSS 800 V
RDS(on) < 0.8 Ω
ID 11 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pend |
Это результат поиска, начинающийся с "11NB80", "11N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STW11NB80 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL PowerMESH MOSFET
®
STW11NB80
N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STW 11NB80
s s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) < 0.8 Ω
ID 11 A
TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TE |
|
W11NB80 | STMicroelectronics |
STW11NB80 ®
STW11NB80
N-CHANNEL 800V - 0.65Ω - 11A - T0-247 PowerMESH™ MOSFET
TYPE STW 11NB80
s s s s s s
V DSS 800 V
R DS(on) < 0.8 Ω
ID 11 A
TYPICAL RDS(on) = 0.65 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINS |
|
11N06LT | NXP Semiconductors |
PHB11N06LT Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS™ transistor Logic level FET
FEATURES
• ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • Stable off-state characteristics • High thermal cycling performance • Low th |
|
11N120CN | Fairchild Semiconductor |
HGTG11N120CN HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, HGT1S11N120CNS
Data Sheet December 2001
43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
The HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, and
HGT1S11N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT
Features
• 43A, 1200V, TC = 25oC • 1200V Switching SOA Capabilit |
|
11N40C | Fairchild Semiconductor |
FQP11N40C FQP11N40C / FQPF11N40C — N-Channel QFET® MOSFET
FQP11N40C / FQPF11N40C
N-Channel QFET® MOSFET
400 V, 10.5 A, 530 mΩ
November 2013
Features
• 10.5 A, 400 V, RDS(on) = 530 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5.25 A
• Low Gate Charge (Typ. 28 nC) • Low Crss (Typ. 85 pF) � |
|
11N50 | Unisonic Technologies |
N-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 11N50
Preliminary Power MOSFET
500V N-CHANNEL MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 11N50 is an N-channel enhancement mode Power FET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |