|
07N60C3 даташитФункция этой детали – «Power Transistor». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 07N60C3 |  Infineon |
Power Transistor SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.6 7.3
V Ω A
• Periodic avalanche rated
PG-TO220FP PG-TO262
PG-TO220
• Extreme dv/dt rated
2
• High peak current capability • Improved transconductance
P-TO220-3-31
3 12
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
P-TO220-3-1
123
Type SPP07N60C3
SPI07N60C3 SPA07N60C3
Package PG-TO220-3
PG-TO262 PG-T |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "07N60C3", "07N6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SPA07N60C3 |  Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.6 7.3
V Ω A
• Periodic avalanche rated
PG-TO220FP PG-TO262
PG-TO220
• Extreme dv/dt rated
2
|
 |
| SPA07N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.6 7.3
V Ω A
• Periodic avalanche rated
PG-TO220FP PG-TO262
PG-TO220
• Extreme dv/dt rated
2
|
|
| SPB07N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance
SPB07N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.6 7.3
V |
|
| SPB07N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance
SPB07N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
650 0.6 7.3
V |
|
| SPD07N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS& Power Transistor Final data
SPD07N60C3 SPU07N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
P-TO251-3-1
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated |
|
| SPD07N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPD07N60C3 SPU07N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
P-TO251-3-1
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge
650 0.6 7.3
V Ω A
P-TO252-3- |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |