DataSheet26.com


07N60C3 даташит

Функция этой детали – «Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
07N60C3 Infineon
Infineon
  Power Transistor

SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.6 7.3 V Ω A • Periodic avalanche rated PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 • Extreme dv/dt rated 2 • High peak current capability • Improved transconductance P-TO220-3-31 3 12 • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) P-TO220-3-1 123 Type SPP07N60C3 SPI07N60C3 SPA07N60C3 Package PG-TO220-3 PG-TO262 PG-T
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "07N60C3", "07N6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
SPA07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.6 7.3 V Ω A • Periodic avalanche rated PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 • Extreme dv/dt rated 2
pdf
SPA07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

SPP07N60C3 SPI07N60C3, SPA07N60C3 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.6 7.3 V Ω A • Periodic avalanche rated PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 • Extreme dv/dt rated 2
pdf
SPB07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance SPB07N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.6 7.3 V �
pdf
SPB07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance SPB07N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.6 7.3 V �
pdf
SPD07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS& Power Transistor

Final data SPD07N60C3 SPU07N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID P-TO251-3-1 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated
pdf
SPD07N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS Power Transistor

Final data SPD07N60C3 SPU07N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID P-TO251-3-1 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge 650 0.6 7.3 V Ω A P-TO252-3-
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты