|
07N60C2 даташитФункция этой детали – «Spa07n60c2». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 07N60C2 |  Infineon Technologies |
SPA07N60C2 www.DataSheet4U.net
Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS @ Tjmax 650 R DS(on) ID
P-TO263-3-2
V Ω A
0.6 7.3
P-TO220-3-1
1 P-TO220-3-31
2
3
Type SPP07N60C2 SPB07N60C2 SPA07N60C2
Package P-TO220-3-1 P-TO263-3-2
Ordering Code Q67040-S4309 Q67040-S4310
Marking 07N60C2 07N60 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "07N60C2", "07N6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SPA07N60C2 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS |
 |
| SPA07N60C2 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor
Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
|
|
| SPB07N60C2 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
Product Summary VDS |
|
| SPB07N60C2 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor
Final data
SPP07N60C2, SPB07N60C2 SPA07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances
P-TO220-3-31
|
|
| SPD07N60C2 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPD07N60C2 SPU07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitanc |
|
| SPD07N60C2 | Infineon Technologies |
Power Transistor Final data
SPD07N60C2 SPU07N60C2
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252 • Ultra low gate charge
Product Summary VDS RDS(on) ID
P-TO251
600 0.6 7.3
P-TO252
V |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |