06N80C3 даташит PDF

Это Spp06n80c3. На странице результатов поиска 06N80C3 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей.

Показать результаты поиска

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
06N80C3	Infineon	SPP06N80C3 SPP06N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances Product Summary V DS R DS(on)max @ Tj = 25°C Q g,typ 800 0.9 31 V Ω nC PG-TO220-3 CoolMOSTM 800V designed for: • Industrial application with high DC bulk voltage • Switching Application ( i.e. active c

Это результат поиска, начинающийся с "06N80C3", "06N8"

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
SPA06N80C3	Infineon Technologies	Power Transistor CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low e
SPD06N80C3	Infineon Technologies	Cool MOS Power Transistor Final data SPD06N80C3 VDS RDS(on) ID 800 0.9 6 P-TO252 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO252 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated V Ω A Type SPD06N80C3
SPP06N80C3	Infineon Technologies	Cool MOS Power Transistor Final data SPP06N80C3 SPA06N80C3 VDS RDS(on) ID P-TO220-3-31 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved trans

[1]

Последние обновления

Номер в каталоге	Производители	Описание	PDF
2N3904	Unisonic Technologies	Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.
NE555	ST Microelectronics	Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

введение сайта

Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении.

Index :

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L

  M    N    O    P    Q

DataSheet26.com | 2020 | Контакты