|
06N03LA даташит PDFЭто Ipb06n03la. На странице результатов поиска 06N03LA Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 06N03LA |  Infineon Technologies Corporation |
IPB06N03LA
IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated P-TO263-3-2
Product Summary V DS R DS(on),max (SMD version) ID 25 5.9 50 V mΩ A
P-TO262-3-1
P-TO220-3-1
Type IPB06N03LA IPI06N03LA IPP06N03LA
Package P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO2 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "06N03LA", "06N0" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| IPB06N03LA |  Infineon Technologies AG |
OptiMOS 2 Power-Transistor IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C o |
 |
| IPB06N03LAG |  Infineon Technologies |
Power-Transistor
IPB06N03LA G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistan |
|
| IPD06N03LA | Infineon Technologies AG |
OptiMOS 2 Power-Transistor IPD06N03LA IPU06N03LA
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target application • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) |
|
| IPD06N03LAG |  Infineon |
Power Transistor OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application
• N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating tempera |
|
| IPF06N03LA | Infineon Technologies AG |
OptiMOS 2 Power-Transistor IPF06N03LA
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature |
|
| IPF06N03LAG | Infineon |
Power Transistor OptiMOS®2 Power-Transistor
Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application
• N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating tempera |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |