|
04N60C3 даташитФункция этой детали – «Spb04n60c3». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 04N60C3 |  Infineon |
SPB04N60C3 63%1& &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH
VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'
3G72
9 Ω $
7SH 63%1&
3DFNDJH 3G72
2UGHULQJ&RGH 46
0DUNLQJ 1&
0D[LPXP5DWLQJV 3DUDPHWHU &RQWLQXRXVGUDLQFXUUHQW
TC & TC &
6PERO 63% ,' ,'SXOV ($6 EAR ,$5 VGS VGS Ptot 7M7VWJ dv/dt |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "04N60C3", "04N6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SPA04N60C3 | Infineon |
Cool MOS Power Transistor 6331& 63$1&
&RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH
VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'
• 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG
3G72FP 3G72
•([WUHPHGYGWUDWHG
• +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • |
 |
| SPA04N60C3 |  Infineon Technologies |
Cool MOS& Power Transistor 6331& 63$1&
&RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH
VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'
• 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG
3G72FP 3G72
•([WUHPHGYGWUDWHG
• +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • |
|
| SPB04N60C3 | Infineon |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPP04N60C3, SPB04N60C3 SPA04N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.95 4.5 V Ω A
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capab |
|
| SPB04N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS& Power Transistor Final data
SPP04N60C3, SPB04N60C3 SPA04N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.95 4.5 V Ω A
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capab |
|
| SPD04N60C3 | Infineon |
Cool MOS Power Transistor Final data
SPD04N60C3 SPU04N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
P-TO251
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transc |
|
| SPD04N60C3 | Infineon Technologies |
Cool MOS& Power Transistor Final data
SPD04N60C3 SPU04N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
P-TO251
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transc |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |