DataSheet26.com


04N60C3 даташит

Функция этой детали – «Spb04n60c3».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
04N60C3 Infineon
Infineon
  SPB04N60C3

63%1& &RRO026Œ 3RZHU7UDQVLVWRU )HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'    3G72 9 Ω $ 7SH 63%1& 3DFNDJH 3G72 2UGHULQJ&RGH 46 0DUNLQJ 1& 0D[LPXP5DWLQJV 3DUDPHWHU &RQWLQXRXVGUDLQFXUUHQW TC ƒ& TC ƒ& 6PERO 63% ,'    ,'SXOV ($6 EAR ,$5 VGS VGS Ptot 7M7VWJ dv/dt  
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "04N60C3", "04N6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
SPA04N60C3 Infineon
Infineon

Cool MOS Power Transistor

6331& 63$1& &RRO026Œ 3RZHU7UDQVLVWRU )HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'    • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG 3G72FP 3G72 •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW •
pdf
SPA04N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS& Power Transistor

6331& 63$1& &RRO026Œ 3RZHU7UDQVLVWRU )HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'    • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG 3G72FP 3G72 •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW •
pdf
SPB04N60C3 Infineon
Infineon

Cool MOS Power Transistor

Final data SPP04N60C3, SPB04N60C3 SPA04N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.95 4.5 V Ω A Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capab
pdf
SPB04N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS& Power Transistor

Final data SPP04N60C3, SPB04N60C3 SPA04N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.95 4.5 V Ω A Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capab
pdf
SPD04N60C3 Infineon
Infineon

Cool MOS Power Transistor

Final data SPD04N60C3 SPU04N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID P-TO251 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transc
pdf
SPD04N60C3 Infineon Technologies
Infineon Technologies

Cool MOS& Power Transistor

Final data SPD04N60C3 SPU04N60C3 VDS @ Tjmax RDS(on) ID P-TO251 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transc
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты