|
|
|
|
На странице результатов поиска 04N60C3 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
04N60C3 даташит PDF |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | ||
| 1 | 04N60C3 | SPB04N60C3 63%1& &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH
VDS#Tjmax 5'6 RQ ,'
3G72
9 Ω $
7SH 63%1&
3DFNDJH 3G72
2UGHULQJ&RGH 46
0DUNLQJ 1&
0D[LPXP5DWLQJV 3DUDPHWHU &RQWLQXRXVGUDLQFXUUHQW
TC & TC &
6PERO 63% ,' ,'SXOV ($6 EAR ,$5 VGS VGS Ptot 7M7VWJ dv/dt |
 Infineon |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "04N" |
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 04N50Z | NSS04N50Z NDP04N50Z, NDD04N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 W
Features
• • • •
Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
VDSS 500 V
http://onsemi.com
RDS(on) (MAX) @ 1.5 A 2.7 W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = |
 ON Semiconductor |
 |
| 04N70BF-H | AP04N70BF-H AP04N70BF-H
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
D
BVDSS RDS(ON) ID
700V 2.4Ω 4A
G S
Desc |
 Advanced Power Electronics |
|
| 04N70BF-A | AP04N70BF-A AP04N70BF-A
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
D
BVDSS RDS(ON) ID
650V 2.4Ω 4A
G S
Desc |
Advanced Power Electronics |
|
| 04N80C3 | SPA04N80C3 SPA04N80C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge |
Infineon |
|
Ссылка Поделиться :
Последние обновления
| Номер в каталоге | Описание | Производители | |
| 2N3904 | Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 Unisonic Technologies |
|
| NE555 | Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
 ST Microelectronics |
|
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |