|
04N50Z даташитФункция этой детали – «Nss04n50z». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
04N50Z | ON Semiconductor |
NSS04N50Z NDP04N50Z, NDD04N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 W
Features
• • • •
Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
VDSS 500 V
http://onsemi.com
RDS(on) (MAX) @ 1.5 A 2.7 W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating Drain−to−Source Voltage Continuous Drain Current RqJC Continuous Drain Current RqJC, TA = 100°C Pulsed Drain Current, VGS @ 10 V Power Dissipation RqJC Gate−to−Source Voltage Single Pulse Avalanche |
Это результат поиска, начинающийся с "04N50Z", "04N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
NDD04N50Z | ON Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET / Transistor NDD04N50Z
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 W
Features
• Low ON Resistance • Low Gate Charge • ESD Diode−Protected Gate • 100% Avalanche Tested • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless ot |
|
04N60C3 | Infineon |
SPB04N60C3 63%1& &RRO026 3RZHU7UDQVLVWRU
)HDWXUH • 1HZUHYROXWLRQDUKLJKYROWDJHWHFKQRORJ •8OWUDORZJDWHFKDUJH • 3HULRGLFDYDODQFKHUDWHG •([WUHPHGYGWUDWHG • +LJKSHDNFXUUHQWFDSDELOLW • ,PSURYHGWUDQVFRQGXFWDQFH
VDS#Tjmax 5'6RQ ,'
3G72
|
|
04N70BF-A | Advanced Power Electronics |
AP04N70BF-A AP04N70BF-A
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
D
BVDSS RDS(ON) ID
650V 2.4Ω 4A
G S
Desc |
|
04N70BF-H | Advanced Power Electronics |
AP04N70BF-H AP04N70BF-H
Pb Free Plating Product
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
D
BVDSS RDS(ON) ID
700V 2.4Ω 4A
G S
Desc |
|
04N80C3 | Infineon |
SPA04N80C3 SPA04N80C3
CoolMOSTM Power Transistor
Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge � |
|
1430450 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |