|
03N60S5 даташит PDFЭто Spp03n60s5. На странице результатов поиска 03N60S5 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 03N60S5 |  INFINEON |
SPP03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
SPP03N60S5
VDS RDS(on)
ID
600 V 1.4 Ω 3.2 A
PG-TO220
2
P-TO220-3-1
123
Type SPP03N60S5
Package PG-TO220
Ordering Code Q67040-S4184
Marking 03N60S5
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC = 25 °C TC = 100 °C
ID
Pulsed drain current, tp limited by Tjmax
ID |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "03N60S5", "03N6" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| SPB03N60S5 |  Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPP03N60S5 SPB03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
P-TO220-3-1
VDS RDS(on) ID
P |
 |
| SPD03N60S5 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
VDS RDS(on) ID
P-TO252.
2 3 |
|
| SPN03N60S5 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPN03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
2 1
VPS05163
VDS RDS(on) ID
600 1.4 0.7
SOT-223
4
V Ω A
3
Type |
|
| SPP03N60S5 | Infineon Technologies |
Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
SPP03N60S5
VDS RDS(on)
ID
600 V 1.4 Ω 3.2 A
P |
|
| SPU03N60S5 | Infineon Technologies |
Cool MOS Power Transistor SPU03N60S5 SPD03N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance
VDS RDS(on) ID
P-TO252.
2 3 |
|
| 03N60C3 | Infineon Technologies |
SPP03N60C3 / SPD03N60C3 / SPA03N60C3 Final data
SPP03N60C3, SPB03N60C3 SPA03N60C3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 1.4 3.2 V Ω A
Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated
• Extreme
P-TO220-3-31
P-TO2 |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |