BN10 PDF даташит
Спецификация BN10 изготовлена «ETC» и имеет функцию, называемую «GLASS PASSIVATED SILICON DAMPING DIODE». |
|
Детали детали
Номер произв | BN10 |
Описание | GLASS PASSIVATED SILICON DAMPING DIODE |
Производители | ETC |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
BN10(2CN3,BZU1)
GLASS PASSIVATED SILICON DAMPING DIODE
Features:
1. Silicon diffusion mesa.
2. Glass Passivated package.
3. Small volume, light weight.
4. Small high-temperature leakage.
5. Good thermal stability.
6. High reliability.
7. Implementation of standards: QZJ840611
TECHNICAL DATA:
Parameter name
Use for
Store temperature
Quality Class
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Voltage
Average Forward Voltage
Non-repeat Forward Surge Current
Peak Reverse Current
Peak Reverse Current
Junction Temperature
Reverse Recovery Time
Symbols Unit
T °C
VRRM
IF(AV)
VFM
VF
IFSM
IRM1
IRM2
Tjm
trr
V
A
V
V
A
uA
uA
°C
uS
(Ta = 25°C )
Specifications
Test Condition
Rectifier, damping circuit.
-55~+150
GS
50~1400
1.0
A~G: 1.8
H~J: 2.5
I=AIF(AV),A=3.1415926
1.0 I=IF(AV)
Single-phase industrial frequency
30
sine half wave 10ms
10 VR=VRRM, Ta=25°C
200 VR=VRRM, Ta=125°C
150
4 VR=10V,IF=50mA,RL=75ohms
SPECIFICATIONS:
AB
C
50V 100V 200V
D
300V
E
400V
F
600V
G
800V
H
1000V
IJ
1200V 1400V
Outline and Dimensions:
Contact: Jandy Lei
Tel.: 13991730782
QQ: 1142478250
Скачать PDF:
[ BN10.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
BN10 | GLASS PASSIVATED SILICON DAMPING DIODE | ETC |
BN1F4M | PNP SIlicon Transistor | NEC |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |