DataSheet26.com

2SA2210 PDF даташит

Спецификация 2SA2210 изготовлена ​​​​«ON Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Bipolar Transistor».

Детали детали

Номер произв 2SA2210
Описание Bipolar Transistor
Производители ON Semiconductor
логотип ON Semiconductor логотип 

7 Pages
scroll

No Preview Available !

2SA2210 Даташит, Описание, Даташиты
Ordering number : ENA0667B
2SA2210
Bipolar Transistor
–50V, –20A, Low VCE(sat) PNP TO-220F-3SG
http://onsemi.com
Applications
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.
Features
Adoption of MBIT processes
Low collector-to-emitter saturation voltage
Large current capacitance
High-speed switching
Specications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Collector Dissipation
PC
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
Tc=25°C
Conditions
Ratings
--50
--50
--6
--20
--25
--3
2
30
150
--55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7529-002
10.16
3.18
4.7
2.54
2SA2210-1E
Product & Package Information
• Package
: TO-220F-3SG
• JEITA, JEDEC
: SC-67
• Minimum Packing Quantity
: 50 pcs./magazine
Marking Electrical Connection
1.47 MAX
0.8
A
2.76
DETAIL-A
(0.84)
A2210
LOT No.
2
1
3
123
0.5 1 : Base
FRAME 2 : Collector
EMC 3 : Emitter
2.54 2.54
TO-220F-3SG
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
September, 2013
60612 TKIM/21512 TKIM TC-00002708/30707FA TI IM TC-00000565 No. A0667-1/7









No Preview Available !

2SA2210 Даташит, Описание, Даташиты
2SA2210
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB= --40V, IE=0A
VEB= --4V, IC=0A
VCE= --2V, IC= --1A
VCE= --10V, IC= --1A
VCB= --10V, f=1MHz
IC= --7A, IB= --350mA
IC= --7A, IB= --350mA
IC= --100μA, IE=0A
IC= --1mA, RBE=
IE= --100μA, IC=0A
See specied Test Circuit
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.1%
INPUT
IB1
IB2
VR RB
50Ω +
100μF
+
470μF
OUTPUT
RL
VBE=5V
VCC= --20V
IC=20IB1= --20IB2= --7A
Ordering Information
Device
2SA2210-1E
Package
TO-220F-3SG
Shipping
50pcs./magazine
Ratings
min typ
150
140
215
--200
--50
--50
--6
60
270
20
max
--10
--10
450
--500
--1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
memo
Pb Free
No. A0667-2/7









No Preview Available !

2SA2210 Даташит, Описание, Даташиты
2SA2210
IC -- VCE
--20
--18 --300mA
--16 --200mA
--14
--12
--10
--400mA
--600mA --500mA
--100mA
--8
--6
--4
--2
0 IB=0mA
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12019
IC -- VBE
--30
VCE= --2V
--25
--20
--15
--10
--5
0
0
1000
7
5
3
2
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT12021
hFE -- IC
Ta=25°C
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
IC -- VCE
--100m-A-80mA
--60mA
--40mA
--160mA
--180mA
--120mA
--140mA
--20mA
IB=0mA
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12020
hFE -- IC
VCE= --2V
Ta=75°C
25°C
--25°C
10
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5
Collector Current, IC -- A
IT12022
fT -- IC
1000
7 VCE= --10V
5
3
2
100
7
5
3
2
10
--0.01 2 3
2
5 7 --0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10
Collector Current, IC -- A
Cob -- VCB
23 5
IT12023
f=1MHz
1000
7
5
3
2
100
7
5
--0.1
2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V IT12025
100
7
5
3
2
10
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
--1.0
7 IC / IB=20
5
3
5 7 --10
IT12024
3
2
--0.1
7
5
3
2
Ta= --25°C
--0.01
75°C
7 25°C
5
--0.01 2 3 5 7 --0.1
23
5 7 --1.0
23
Collector Current, IC -- A
5 7 --10 2 3
IT12026
No. A0667-3/7










Скачать PDF:

[ 2SA2210.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
2SA2210PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SA2210Bipolar TransistorON Semiconductor
ON Semiconductor
2SA2210Silicon PNP Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
2SA2219Transistor Silicon PNP Epitaxial TypeToshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск