BTA100-800B PDF даташит
Спецификация BTA100-800B изготовлена «HAOHAI» и имеет функцию, называемую «Specially Varieties 4Q-Triacs». |
|
Детали детали
Номер произв | BTA100-800B |
Описание | Specially Varieties 4Q-Triacs |
Производители | HAOHAI |
логотип |
5 Pages
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100A 绝缘型 高压 四象限双向可控硅【产品参数规格书】
BTA100 Series
Specially Varieties 4Q-Triacs
產品特性:NPNPN五層結構的硅雙向器件,具有自主知識產權的單面挖槽技術,檯面玻璃鈍化工藝;
產品特性:背面多層金屬化電極;具有較高有阻斷電壓、較高的溫度穩定性;大電流、絕緣型封裝。
主要用於:加熱控制器、調溫設備、彩燈控制器、固態繼電器、吸塵器、電動工具、馬達調速控制器;其它相控電路。
Part Number
BTA100-600B
BTA100-800B
BTA100-1000B
BTA100-1200B
BTA100-1400B
BTA100-1600B
BTA100-1800B*
* 未量产
IT(RMS)
100A
VRMD / VRRM
600V
800V
1000V
1200V
1400V
1600V
1800V*
IGT
≤50mA
Package
TOP4
■ PINNING: Insulated Package
Pin
管脚排列
Symbol Description
对应极性 极性含义
1 T1 第一陽極
2
3 G 門-控制極
4 T2 第二陽極
5 Tab 散熱片
TOP4 (TO-4PT or TO-228) 绝缘型封装
Tab
1
2
3
4
T2 (2)
T1 (1)
G (3)
H BT A
↓↓↓
100 - 1600
↓↓
IT(RMS)
100A
600=600V
800=800V
1000=1000V
1200=1200V
1400=1400V
1600=1600V
1800=1800V
B_
↓↓
IGT
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ
≤50mA
Package
TOP4
http://www.kkg.com.cn
HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.
第1页 共5页
致力於中國功率器件優秀供應商
BTA100 Series TOP4
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100A 绝缘型 高压 四象限双向可控硅【产品参数规格书】
BTA100 Series
Specially Varieties 4Q-Triacs
■ABSOLUTE MAXIMUM RATINGs
SYMBOL
Signification in Symbol
IT(RMS)
ITSM
RMS On-state Current (full sine wave)
Non Repetitive Surge Peak on-state Current
IGM Peak Gate Current
I2t I2t Value for Fusing Consideration
VDRM
Repetitive peak off-state Voltages
见型号对照列表
VRRM
Repetitive peak Reverse Voltages
见型号对照列表
PG(AV)
Average gate power dissipation
Tj Operating Junction Temperature Range
Tstg Storage Junction Temperature Range
Rth(j-c)
Thermal Resistance−Junction−to−Case
Rth(j-a)
Thermal Resistance−Junction−to−Ambient
■绝缘电阻特征 : ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC (Ths=25 ℃ unless otherwise specified)
Test Conditions
TC=80℃
TJ=25℃, f=60Hz
tp=20µs, Tj=125℃
tp=10mS, Tj=25℃
TJ=25℃
TJ=25℃
Tj=25℃
TOP4
Value
100
1000
8
6400
Unit
A
A2ses
600~1800 V
1
-40 ~ +125
-40 ~ +150
0.9
50
W
℃
℃/W
■STATIC CHARACTERISTICS
SYMBOL
Paramenter & Test Conditions
IGT VD=12V, RL=30Ω
IH
IL
dV/dt
(dv/dt)C
di/dt
RD
VGT
VGD
VTO
VTM
IDRM
IRRM
IT=500mA
IG=1.2 IGT
VD=2/3 VDRM gate open
Without snubber
Critical Rate of Rise of On−State Current
Dynamic resistance slops Resistance
VD=12V, RL=30Ω, Tj=25℃
VD=12VDC, RL=30Ω, Tj=25℃
ITM=82A, tp=380µs
ITM=82A, tp=380µs
VD=VDRM, VR=VRRM
VD=VDRM, VR=VRRM
Quadrant
Ⅰ(T2+G+)
Ⅱ(T2+G-)
Ⅲ(T2-G-)
Ⅳ(T2-G+)
ALL
Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ
Ⅳ
Tj=125℃
Tj=125℃
Tj=125℃
Tj=125℃
ALL
ALL
ALL
Tj=25℃
Tj=25℃
Tj=125℃
Value
Min Typ Max
-- 25 50
-- 25 50
-- 26 50
-- 50 100
-- -- 80
-- -- 60
-- -- 100
500 --
--
10 --
--
-- 50 --
-- -- 25
-- -- 1.5
-- -- 0.2
-- -- 0.86
-- -- 1.55
-- -- 10
-- -- 2
Unit
单位
mA
V/µs
A/µs
mΩ
V
µA
mA
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BTA100-800B | Specially Varieties 4Q-Triacs | HAOHAI |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
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